类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 5.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@4.8A,10V |
功率(Pd) | 770mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.9nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 399pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
在现代电子设计中,功率管理、信号开关和高效信号处理的需求日益增长。在这个背景下,DMN3035LWN-7场效应管(MOSFET)成为了许多应用的理想选择。本文将对这款元器件的关键特性、应用场景以及其在市场中的优势进行深入分析。
DMN3035LWN-7是一个双N沟道场效应管,适合各种标准电源和信号开关应用。其主要参数如下:
DMN3035LWN-7采用表面贴装型(VDFN3020-8)封装,具有良好的热性能和电气性能。这样的封装设计不仅节省了电路板空间,同时也简化了装配过程,适合高密度的电子产品。
DMN3035LWN-7的特性使其在多种应用中表现出色,主要包括:
与市场上其他同类产品相比,DMN3035LWN-7在多个方面展现了竞争优势。其更低的导通电阻意味着更低的热损耗和更高的工作效率。此外,其广泛的工作温度范围和牢靠的封装设计,使其能够满足极端环境的需求,为工程师提供了更多的设计灵活性。
总之,DMN3035LWN-7是一款功能强大的平面场效应管,凭借其卓越的性能、紧凑的结构和良好的热管理能力,广泛应用于各类高效能电子产品中。无论是电源管理、信号开关,还是其他涉及较大电流的应用场景,这款MOSFET都能够满足现代电子设计的需求,为创意和创新提供有力支持。