类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 7.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ@4.5V,7.9A |
功率(Pd) | 660mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.8nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 907pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 38pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN2022UFDF-7 是由 DIODES(美台)公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该产品专为需要高效电源管理和低导通损耗的应用而设计,适用于各种行业,如消费电子、工业控制及汽车电子等。其紧凑的U-DFN2020-6封装设计使其非常适合于空间有限的高密度PCB布局。
DMN2022UFDF-7支持宽广的工作温度范围:-55°C至150°C(TJ)。这种高温耐受能力确保了其在恶劣环境和严苛条件下的可靠性,大大提高了产品的耐用性和应用范围。
该器件采用6-UDFN裸露焊盘的封装形式,具有极小的占板面积(仅为2020规格)。这种紧凑的设计可以有效降低PCB的尺寸,同时也提供了出色的热性能和电气性能。表面贴装型(SMD)设计使得它易于集成到自动化生产流水线中,加快了生产效率。
DMN2022UFDF-7 MOSFET广泛应用于:
综上所述,DMN2022UFDF-7 MOSFET凭借其优异的电气性能、宽广的温度范围和紧凑的封装形式,成为现代电源管理及高频开关应用的理想选择。无论是在高效能要求的电源解决方案,还是在需要高可靠性的工业和汽车应用中,该MOSFET都能提供卓越的性能和可靠性。选择DMN2022UFDF-7,您将能够在各种应用中实现高效的电能转换与控制,助力创新与发展。