类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 34A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V,25A |
功率(Pd) | 114W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.293nF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
产品概述:BUK7240-100A,118 MOSFET
BUK7240-100A,118是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它专为需要高效率和高功率应用设计。该器件的关键参数包括最大漏源电压(Vdss)为100V,连续漏极电流(Id)为34A,最大功率耗散为114W,广泛适用于各种电子设备的开关电源、马达驱动、以及自动化设备等领域。
电气性能:
温度特性:
电压驱动:
封装与散热:
BUK7240-100A,118由于其卓越的性能,适用于多种应用场景,包括但不限于:
BUK7240-100A,118以其优异的电性能和宽广的工作温度范围,成为高功率开关和电源管理应用的理想选择。其40毫欧的低导通电阻和114W的功率耗散能力,不仅降低了能量损失,还提供了可靠的高负载能力。此外,DPAK封装形式使其在散热性能与安装便捷性之间取得了良好平衡。这款由Nexperia(安世)供应的MOSFET适用于各类现代电子设备,为设计师打造高效、可靠的电子系统提供了优秀的解决方案。