类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 320mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6Ω@320mA,10V |
功率(Pd) | 260mW;830mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 700pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 56pF@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
BSS138BKW,115 产品概述
一、基本信息
BSS138BKW,115是由Nexperia(安世半导体)生产的一款N沟道MOSFET(场效应管),其设计及应用的考虑主要针对高频开关、低功耗应用,以及对空间和功率敏感的电路。这款MOSFET采用SOT-323封装,具备优异的电气性能和高度可靠性,适合于各种电子产品的温度和电压要求。
二、产品参数
FET类型:该器件为N沟道MOSFET,这意味着它在正偏操作时能够有效导通,适合用于高电压及低电流应用。
漏源电压(Vdss):最大漏源电压为60V,适合在需要处理相对较高电压的环境中使用。
连续漏极电流(Id):其在25°C时最大连续漏极电流为320mA(环境温度Ta),适合低功耗线路的设计需求。
导通电阻(Rds On):在10V栅极电压下,最大导通电阻为1.6Ω,在320mA电流下表现出良好的导电性,这意味着在导通状态下,功率损耗较低。
栅极阈值电压(Vgs(th)):该产品的最大阈值电压为1.6V(在250µA电流下),说明FET在较低的驱动电压下即可开始导通,有助于实现更高效率的开关控制。
输入电容(Ciss):在10V时,输入电容最大可达56pF,这一低值特别适用于高频开关应用,帮助提高交换速度。
栅极电荷(Qg):该MOSFET的栅极电荷为0.7nC(在4.5V时测得),这意味着它在开启和关闭过程中消耗的能量较少,有助于减少电源负担,适合高效能电源管理和低功耗电路设计。
功率耗散(最大值):该器件的最大功率耗散为260mW(环境温度)和830mW(腔体温度),显示出在不同的热环境中的适应能力,适合多种热管理要求。
工作温度范围:器件工作温度范围为-55°C至150°C,广泛适用于各类严苛环境,特别是工业和汽车电子产品。
封装形式:采用SOT-323封装,具备小型化和表面贴装特性,适合空间受限的设计。
三、应用领域
BSS138BKW,115的广泛应用领域包括但不限于:
四、总结
BSS138BKW,115作为一款高性能、可靠性强的N沟道MOSFET,凭借其优异的电气参数、广泛的工作温度范围和多样化的应用领域,将为电子设计工程师提供诸多便利。无论是在高频开关电源、电机驱动控制,还是在其他各种需要高效电源管理的场合,这款器件的出色性能必将助力设计的成功。对于追求可靠性、功率效率以及空间节约的电子产品,BSS138BKW,115无疑是一个理想的选择。