类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 450V |
连续漏极电流(Id) | 600mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 21Ω@10V,0.3A |
功率(Pd) | 12.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.2nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.003nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2.3pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP45H21DHE-13 是一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由著名厂商 DIODES(美台)设计和制造。该器件专为高电压和高电流应用而打造,具备优异的导通特性和出色的热性能,适合在多种电子设备中使用。其主要特点包括漏源电压可达 450V,连续漏极电流达到 600mA,以及宽广的工作温度范围,满足用户多样化的应用需求。
DMP45H21DHE-13 的广泛应用覆盖了多个行业,主要包括:
选择 DMP45H21DHE-13 的优势包括:
DMP45H21DHE-13 是一款高可靠性、高性能的 P 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气和热性能,为用户在多个行业和领域提供了强有力的支持。无论是在电源管理、汽车电子还是工业设备中,这款 MOSFET 都能够满足严苛的应用需求,为设计师和工程师带来安全与效率的双重保障。选择 DMP45H21DHE-13,定能助力您的产品实现卓越性能和行业领先地位。