SI8483DB-T2-E1

产品概述：SI8483DB-T2-E1 P沟道MOSFET

概述

SI8483DB-T2-E1 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，具有优异的电气特性与热性能，适用于各种电源管理和开关应用。封装采用了先进的 Micro Foot™ 6（BGA-6）技术，能够有效减少 PCB 占位，同时提高散热性能。该器件由知名品牌 VISHAY（威世）制造，确保了卓越的质量与稳定性。

关键参数

• FET 类型：P 通道
• 技术类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
• 漏源电压（Vdss）：12V，适用于低至中压应用
• 连续漏极电流 (Id)：16A（在 25°C 时）
• 驱动电压：可在 1.5V 至 4.5V 的驱动电压下工作，展现出良好的开关性能
• 导通电阻 (Rds On)：不同 Id、Vgs 时，最大导通电阻为 26 毫欧（@ 1.5A，4.5V），提供了优越的导电性能
• 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值为 800mV（@ 250µA），有助于提高电路的驱动效率
• 栅极电荷 (Qg)：最大值为 65nC（@ 10V），使得开关速度更快，适合高频率应用
• 输入电容 (Ciss)：在不同 Vds 时，最大值为 1840pF（@ 6V），确保更高的开关效率
• 功率耗散：在环境温度下功率耗散为 2.77W，而在结温下功率耗散可达 13W，展现出良好的热管理能力
• 工作温度范围：-55°C 到 150°C，能适应恶劣环境
• 安装类型：表面贴装型，方便与其他元器件搭配，提升设计的灵活性

封装与外观

SI8483DB-T2-E1采用了先进的 BGA-6 封装（MicroFoot-6），这种小型化封装不仅降低了产品的体积，也提高了散热性能。能够满足现代电子产品对小型化和高性能的需求，非常适合紧凑型设计。

应用场景

该 MOSFET 器件广泛应用于供电管理、DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效开关控制的电路中。其在高频信号下的优异表现，尤其适合于便携式设备和消费电子产品的设计。

设计优势

SI8483DB-T2-E1 具有极低的导通电阻和高电流处理能力，在一定程度上减少了能源损耗。同时，由于其宽广的工作温度范围，使得其可以在各种严苛条件下稳定运行，延长产品使用寿命。

结论

总的来说，SI8483DB-T2-E1 P沟道MOSFET 结合了高性能与可靠性，非常适合应用于当今对高效能与小型化要求日益提高的电子设计中。无论是在电源管理还是高效开关应用中，该器件都能够提供极佳的支持，助力设计人员开发出更具竞争力的产品。选择 SI8483DB-T2-E1，意味着选择了优质的性能和长久的可靠性，是广大工程师和设计师的理想选择。