类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 2.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 240mΩ@4.5V,2A |
功率(Pd) | 1.62W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.3nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 512pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 23.2pF@30V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
产品简介 DMPH6250SQ-7 是一款高性能的P沟道MOSFET,专为高效率开关电源和功率管理应用设计。该器件具有出色的电气特性,适用于各种电子设备,能够有效地满足现代电子产品日益增长的性能需求。基于Diodes(美台)公司的出色制造工艺,DMPH6250SQ-7 在高温和高压环境下仍能保持其稳定性和可靠性。
主要参数与特性
应用领域 DMPH6250SQ-7的广泛应用使其成为各种电子产品的关键元件,尤其是在以下几种场景中表现突出:
总结 DMPH6250SQ-7将高效率、低损耗和小尺寸集于一身,特别适合现代电子应用的需求。其高温、高电压的特性及稳定的电气性能,使其在工业、汽车、消费电子等各种应用中都可以提供优异性能。选择DMPH6250SQ-7将为您的设计提升整体性能与可靠性,确保在多种应用环境下的稳定运行。