接口类型 | I2C | 存储容量 | 2Kbit |
工作电压 | 1.7V~5.5V | 写周期时间(Tw) | 5ms |
数据保留 - TDR(年) | 40年 | 写周期寿命 | 1000000次 |
工作温度 | -40℃~+85℃ |
BR24L02FVM-WTR 是一款由日本 ROHM(罗姆)半导体公司推出的高性能 EEPROM 存储器,采用表面贴装型(SMD)封装,适合各种嵌入式应用。这款存储器以其非易失性特性和丰富的功能,能够满足多种电子设备对数据存储的需求。其关键参数包括工作温度范围、时钟频率、存储容量和电源电压,使其在现代电子设计中具有广泛的应用潜力。
BR24L02FVM-WTR 的主要技术参数如下:
BR24L02FVM-WTR 结合了多种先进的技术与特性,赋予其独特的竞争优势:
BR24L02FVM-WTR 具有广泛的应用场景,尤其在以下几个领域表现出色:
BR24L02FVM-WTR 是一款高效、稳定和经济的 EEPROM 存储器,能够在复杂多变的现代电子应用中脱颖而出。其独特的设计使其在低功耗、高可靠性的场景中大显身手,对于设计师和工程师而言,是一个值得推荐的选择。无论是在消费类电子、工业设备,还是在汽车电子以及智能家居等领域,BR24L02FVM-WTR 都具备强大的适应能力和广阔的应用前景。
对电子产品设计的创新与需求,推动了对高性能存储器的持续需求,而 BR24L02FVM-WTR 作为该市场上出色的代表,必将为未来的电子设计提供更多可能性。