正向压降(Vf) | 840mV@3A | 直流反向耐压(Vr) | 200V |
整流电流 | 3A |
NRVBS3200T3G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)设计和制造的一款高性能肖特基二极管,封装形式为 SMB(DO-214AA),专为需要快速恢复速度、高效率和高可靠性的电源管理应用而设计。它具有优异的电气性能,特别适合于高速开关电源、整流电路和逆变器等动态应用环境。
NRVBS3200T3G 的最大直流反向电压(Vr)为 200V。在额定的 200V 下,其反向泄漏电流保持在 1mA,这意味着即使在高电压条件下,其抗漏性能依然出色,减少了功耗并提高了总体系统效率。
NRVBS3200T3G 适用于广泛的工业应用,包括但不限于:
NRVBS3200T3G 是一款卓越的肖特基二极管,凭借其高达 3A 的整流能力、低正向电压和快速恢复特性,适合多种高性能电子设计。无论是用于电源管理、整流还是逆变器,其稳定的性能和广泛的应用范围都使其成为设计师们的重要选择。随着科技的进步,NRVBS3200T3G 作为电源设计中的关键元件,能够有效助力实现更高效、更经济的产品解决方案。