STP170N8F7

STP170N8F7 产品概述

一、产品背景

STP170N8F7 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高效能 N 通道 MOSFET，具有优良的性能参数和广泛的应用潜力。这款器件是一种金属氧化物半导体场效应晶体管，采用 TO-220 封装，适用于各种高功率和高电流的电力转换应用。

二、技术规格

1. FET 类型： N 通道
2. 技术类型： MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
3. 漏源电压（Vdss）： 80V
4. 连续漏极电流（Id @ 25°C）： 120A（在额定晶体管温度 Tc 下）
5. 驱动电压： 10V
   • 最大 Rds(on)： 3.9 mΩ @ 60A，10V
6. 阈值电压（Vgs(th)）： 最大 4.5V @ 250µA
7. 栅极电荷（Qg）： 最大 120nC @ 10V
8. 最大 Vgs： ±20V
9. 输入电容（Ciss）： 最大8710pF @ 40V
10. 功率耗散： 最大 250W（在结温 Tc 下）
11. 工作温度范围： -55°C 到 175°C（TJ）
12. 封装类型： TO-220-3

三、产品特点

STP170N8F7 的设计考虑到优化性能和集成度，使其在高电流和高电压环境下表现稳定。该器件的低导通电阻（Rds(on)）特性使其在传递电流时具有较低的功率损耗，这对于提高整体系统效率至关重要。此外，其最大漏源电压为 80V，使其适应多种电源管理和电机驱动应用场景。

四、优越的温度稳定性

STP170N8F7 的工作温度范围非常广泛，从 -55°C 到 175°C，确保在苛刻的环境条件下也能保持良好的性能。这对于航空航天、工业自动化及汽车电子等需要高可靠性的应用尤其重要。

五、应用领域

由于其较高的电流承载能力和低的导通电阻，STP170N8F7 适用于以下应用场景：

1. 开关电源：其优良的导通性能适用于高频开关电源的设计，能够有效提升电源转换的效率。
2. 电机驱动：在电动机控制系统中，该 MOSFET 可以作为开关器件进行电流的控制，以提高驱动效率并减少散热损失。
3. 功率放大器：在射频及音频功率放大器中，STP170N8F7 可以用来驱动负载，提高信号传输质量。
4. 汽车电子：其耐高温和高功率特性，使其成为汽车电力管理系统、LED 驱动电路等应用的理想选择。

六、总结

STP170N8F7 N 通道 MOSFET 在电力电子领域具备优质的性能，尤其适合在高电压和高电流的应用中使用。意法半导体作为全球知名的半导体制造商，提供了可靠的产品质量、优越的技术支持以及持续的创新能力，使得 STP170N8F7 成为设计工程师的优选元件。通过使用这款 MOSFET，将为电源管理方案提供更高的能效表现和更佳的系统可靠性，为各种高要求的电子产品提供坚实的基础。