类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 200mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.1Ω@4V,0.2A |
功率(Pd) | 150mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@10V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
RTE002P02TL 是一款高性能 P 通道 MOSFET,采用表面贴装型设计,适用于多种电源管理与开关应用。该产品由知名的 ROHM(罗姆)公司生产,以其卓越的品质和可靠性而广受用户欢迎。此款 MOSFET 具备出色的导通特性和热管理能力,非常适合用于要求低导通电阻及高工作温度的场合。
RTE002P02TL 的设计考虑了多个运作条件下的数据表现,提供了良好的温度特性和电流承载能力。考虑到电子设备日益增加的功耗需求,该 MOSFET 在保证高效能的同时,尽量降低了能耗,提升了系统的整体性能。其低 Rds(on) 的特性使得在开关应用中能够有效减少功率损耗,提升器件的工作效率。
RTE002P02TL 主要应用于包括但不限于以下几个领域:
RTE002P02TL 具备高度的热稳定性,可以承受最大 150°C 的工作环境温度。在高温环境下,该 MOSFET 依然能够保持良好的性能,这对于在严酷条件下工作的电子设备尤其重要。此外,该元件的封装设计关注到散热性能,能够有效降低器件运行过程中产生的热量,延长产品寿命。
总之,RTE002P02TL 是一款高效、可靠的 P 通道 MOSFET,特别适合于现代电子产品中的多种应用场景。凭借其出色的热性能和高导通能力,ROHM 的这款产品预计将在电源管理、充电器和便携设备等领域继续表现颇佳。选择 RTE002P02TL,用户可以放心将其应用于对性能和可靠性有较高要求的系统中。