存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
技术 | FLASH - NOR | 存储容量 | 512Mb (32M x 16) |
存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字,页 | 60ns |
访问时间 | 110ns | 电压 - 供电 | 1.65V ~ 3.6V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 供应商器件封装 | 56-TSOP |
产品概述:S29GL512S11TFIV20 NOR闪存
一、基本信息
S29GL512S11TFIV20是一款由赛普拉斯(Cypress)公司提供的高性能NOR闪存器件,属于其广泛的闪存产品系列。该器件采用非易失性存储技术,具有512Mb(即32M x 16)的存储容量,主要用于需要高可靠性、高速读写操作的嵌入式系统和存储解决方案。其设计旨在满足现代电子设备对速度、功耗和可靠性的严格要求。
二、技术规格
存储类型与格式:该器件为非易失性存储器,使用闪存技术,确保在断电情况下数据仍能得到存储,广泛应用于各种嵌入式系统中。
存储容量:S29GL512S11TFIV20提供512Mb的存储容量,采用32M x 16的结构,这一容量适合存储大量数据和程序代码,满足多种应用需求。
存储器接口:该器件采用并联接口(Parallel Interface),用于简化数据传输和控制信号的连接,提供高效的数据交换能力。
写周期时间:其字或页的写周期时间为60ns,确保了快速的数据写入能力,特别是在需要频繁更新数据的应用中,能够显著提高效率。
访问时间:设备的访问时间为110ns,对于读取指令和数据具有很好的响应速度,确保系统的实时性能。
供电电压:S29GL512S11TFIV20的工作电压范围为1.65V ~ 3.6V,使得该器件在低功耗的设计环境中也能稳定运行,适合于便携式设备和其他电源受限的应用场景。
工作温度范围:器件的工作温度范围为-40°C ~ 85°C,适用于宽广的环境条件,能够满足工业级和汽车电子产品的恶劣工作条件。
封装与安装类型:该产品采用56-TFSOP(Thin Fine Pitch Small Outline Package)封装,尺寸为0.724"宽(18.40mm),以及24-FBGA(6x8)封装,适合表面贴装设计。这两种封装方式不仅能节省空间,还能提供良好的热性能与电气性能。
三、应用领域
S29GL512S11TFIV20的优越性能和灵活的接口设计使其在多个领域中得以应用,主要包括:
四、总结
S29GL512S11TFIV20是赛普拉斯公司推出的一款高性能NOR闪存器件,凭借其优异的技术参数、灵活的应用场景以及高可靠性特性,在多个行业中广受好评。无论在消费电子、汽车电子还是工业控制领域,该产品都显示出其强大的数据存储能力和良好的适应性,是设计工程师理想的选择。通过充分发挥其优势,S29GL512S11TFIV20将有效提升应用系统的性能,推动现代智能设备的创新与发展。