IGBT类型 | FS(场截止) | 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
集电极电流(Ic) | 120A | 功率(Pd) | 469W |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2V@15V,80A | 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 414nC |
开启延迟时间(Td(on)) | 84ns | 关断延迟时间(Td(off)) | 280ns |
导通损耗(Eon) | 2.1mJ | 关断损耗(Eoff) | 1.5mJ |
反向恢复时间(Trr) | 85ns | 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STGW80H65DFB 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),该器件在设计上专注于高电压及高电流应用。其额定集电极电流最高可达120A,能够承受的集射极击穿电压高达650V,具有显著的抗压性能。该产品适用于多个高效能的电力电子应用场合,比如变频器、直流-直流转换器、焊接设备及其他需要高开关效率与低损耗的电力控制系统。
STGW80H65DFB广泛应用于多个领域,主要包括:
STGW80H65DFB采用TO-247封装,便于通孔安装,适合大电流及高功率需求的应用。在散热方面,该封装的设计有助于增强散热性能,确保器件在高负载下可靠运行。
作为一款具有650V耐压和120A电流能力的高级IGBT,STGW80H65DFB不仅在性能上满足了高效能电子系统的要求,同时其稳定的工作温度范围和快速的开关特性也使其在现代电力电子应用中展现出优良的适应性。无论是在传统的工业领域,还是在可再生能源的最新应用中,STGW80H65DFB都为设计师与工程师带来了高效的解决方案。通过合理配置和使用该器件,可以在保证高性能的同时,实现电力系统的高效、节能与环保目标。