接口类型 | SPI | 存储容量 | 64Mbit |
时钟频率(fc) | 133MHz | 工作电压 | 2.7V~3.6V |
页写入时间(Tpp) | 500us | 块擦除时间(tBE) | 150ms@(32KB) |
数据保留 - TDR(年) | 20年 | 工作温度 | -40℃~+85℃ |
GD25Q64ESIGR 是由 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 生产的一款高性能非易失性存储器,采用 NOR FLASH 技术,拥有64Mb(8M x 8)的存储容量,广泛应用于消费电子、工业控制、网络通信以及智能设备等领域。作为一种具有卓越速度和可靠性的闪存,GD25Q64 以其良好的存储性能和长寿命在市场中占有一席之地。
GD25Q64 配备了 SPI - 四 I/O 接口,使其在数据传输速度上具有明显优势。其时钟频率可达 133 MHz,能够实现高速的数据读取和写入,特别适合对响应时间有严苛要求的应用场景。该存储器的访问时间为 7 ns,这意味着它在数据访问时的延迟非常小,有利于提升整体系统的性能。
此外,GD25Q64 的写周期时间也经过优化:单字写入周期为 70µs,而整页写入的周期则为 2.4ms,这样的设计保证了在频繁写入操作时的效率,适应了工业应用中对快速响应和高写入频率的需求。
GD25Q64 的供电电压范围为 2.7V 到 3.6V,能够支持多种供电方案,使其在不同的工作环境下都能保持稳定的性能。工作温度范围为 -40°C 到 85°C,适合在极端环境下应用,满足工业和汽车等领域的需求。这种耐高低温的特性,保证了在各种环境条件下都能良好工作,确保系统的可靠性。
GD25Q64 采用 8-SOIC 封装,尺寸为 0.209",宽度为 5.30mm,设计为表面贴装型,便于与现代电子设备的焊接和集成。SOP-8 封装为设计人员提供了更高的集成度和灵活性,使其能够有效节省PCB空间,能够适用于小型化设计和高密度应用场景。
GD25Q64 是一款通用型的 NOR FLASH 存储器,适用于多种场合,如:
综上所述,GD25Q64ESIGR 作为一款高性能、可靠性强的 NOR FLASH 存储器,凭借其出色的存储技术、广泛的工作温度范围和合理的封装设计,满足了现代电子设备对存储器的高要求,适合众多应用领域。无论是在工业控制还是消费电子中,GD25Q64 都能为设计师提供理想的解决方案,助力他们在激烈的市场竞争中保持优势。