GD25Q64ESIGR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

GD25Q64ESIGR

商品编码: BM0084329101
品牌 : 
Gigadevice(北京兆易创新)
封装 : 
SOP-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
NOR FLASH 133MHz 64Mbit SPI 2.7V~3.6V SOP-8-208mil
库存 :
2000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.95
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.95
--
100+
¥1.5
--
1000+
¥1.31
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

GD25Q64ESIGR参数

接口类型SPI存储容量64Mbit
时钟频率(fc)133MHz工作电压2.7V~3.6V
页写入时间(Tpp)500us块擦除时间(tBE)150ms@(32KB)
数据保留 - TDR(年)20年工作温度-40℃~+85℃

GD25Q64ESIGR手册

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无数据

GD25Q64ESIGR概述

GD25Q64ESIGR 产品概述

一、产品概述

GD25Q64ESIGR 是由 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 生产的一款高性能非易失性存储器,采用 NOR FLASH 技术,拥有64Mb(8M x 8)的存储容量,广泛应用于消费电子、工业控制、网络通信以及智能设备等领域。作为一种具有卓越速度和可靠性的闪存,GD25Q64 以其良好的存储性能和长寿命在市场中占有一席之地。

二、存储技术与性能

GD25Q64 配备了 SPI - 四 I/O 接口,使其在数据传输速度上具有明显优势。其时钟频率可达 133 MHz,能够实现高速的数据读取和写入,特别适合对响应时间有严苛要求的应用场景。该存储器的访问时间为 7 ns,这意味着它在数据访问时的延迟非常小,有利于提升整体系统的性能。

此外,GD25Q64 的写周期时间也经过优化:单字写入周期为 70µs,而整页写入的周期则为 2.4ms,这样的设计保证了在频繁写入操作时的效率,适应了工业应用中对快速响应和高写入频率的需求。

三、电源与温度范围

GD25Q64 的供电电压范围为 2.7V 到 3.6V,能够支持多种供电方案,使其在不同的工作环境下都能保持稳定的性能。工作温度范围为 -40°C 到 85°C,适合在极端环境下应用,满足工业和汽车等领域的需求。这种耐高低温的特性,保证了在各种环境条件下都能良好工作,确保系统的可靠性。

四、封装与安装

GD25Q64 采用 8-SOIC 封装,尺寸为 0.209",宽度为 5.30mm,设计为表面贴装型,便于与现代电子设备的焊接和集成。SOP-8 封装为设计人员提供了更高的集成度和灵活性,使其能够有效节省PCB空间,能够适用于小型化设计和高密度应用场景。

五、应用场景

GD25Q64 是一款通用型的 NOR FLASH 存储器,适用于多种场合,如:

  1. 消费电子:如智能手机、平板电脑、数字相机等设备的固件和配置存储。
  2. 工业控制:用于 PLC 及工业自动化设备,存储控制程序和数据。
  3. 网络设备:如路由器和交换机中的固件存储,提高设备的操作速度和可靠性。
  4. 智能家居:如智能锁和传感器的固件及日志存储,支持 IoT 应用场景。

六、总结

综上所述,GD25Q64ESIGR 作为一款高性能、可靠性强的 NOR FLASH 存储器,凭借其出色的存储技术、广泛的工作温度范围和合理的封装设计,满足了现代电子设备对存储器的高要求,适合众多应用领域。无论是在工业控制还是消费电子中,GD25Q64 都能为设计师提供理想的解决方案,助力他们在激烈的市场竞争中保持优势。