晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 300V | 功率(Pd) | 15W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@50mA,10V | 特征频率(fT) | 10MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@100mA,10mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
MJD350T4G是由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款高性能PNP型三极管。这款器件在各种电子应用中表现出色,具有适合大功率开关和放大器等多种功能,其设计意在满足现代电气设备对功能和可靠性的高要求。
MJD350T4G三极管因其宽广的工作温度范围和卓越的电气性能,广泛应用于电源管理、音频放大器、功率放大器等领域。其PNP结构使其在电路设计中能够轻松实现高电压、低电流的控制功能。
MJD350T4G三极管可广泛应用于以下领域:
MJD350T4G PNP三极管以其优越的性能参数和广泛的应用范围,成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。凭借其良好的功率和电压特性,MJD350T4G在高功率、高电压应用领域展现了卓越的可靠性与效率,符合市场对高性能电子元件的需求。在选择电子元件时,MJD350T4G是一款值得考虑的优质选择,尤其适合需要高功率和高电压的电路设计。