输入失调电压(Vos) | 7mV | 输入偏置电流(Ib) | 250nA |
工作电压 | 1V~18V;2V~36V | 输出类型 | 开集 |
输出模式 | MOS;DTL;TTL;CMOS;ECL | 每个通道供电电流 | 2.5mA |
工作温度 | -40℃~+125℃ |
NCV2903DR2G 是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款高性能双路比较器,采用8-SOIC封装,广泛应用于各类电子电路中的信号处理与集成,是设计小型和高效电路系统的理想选择。该比较器具有极低的输入偏置电流和高达125°C的工作温度范围,使其适用于严苛条件下的工业及汽车电子应用。
高电压范围:NCV2903DR2G 的供电电压范围为2V至36V(单电源)和±1V至±18V(双电源),为设计者提供了灵活的电源设计选择。
低输入偏置电流:该器件的输入偏置电流最大值为0.25µA @ 5V,适合用于信号较弱的应用场合,降低了输入信号的损耗,有助于提高信号的完整性。
低输入补偿电压:输入补偿电压的最大值为7mV @ 30V,使得该比较器在处理微小信号时表现出色,适用于需要高精度比较的应用。
典型输出电流:NCV2903DR2G 的输出电流典型值达到16mA @ 5V,能够支持多种逻辑电平的驱动需求,包括CMOS、TTL等,确保其能与多种逻辑电路无缝配合。
低静态电流:器件最大静态电流为2.5mA,有助于降低系统功耗,尤其在电池供电的应用中尤为重要。
NCV2903DR2G 的最大传播延迟为1.3µs,这使得该产品在快速响应应用中表现优异。高速响应能力对于实时系统和高刷新率的应用至关重要,如图像处理和快速开关控制。
产品能够在-40°C至125°C的温度范围内稳定工作,充分满足苛刻环境下的应用需求。无论是在汽车电子、工业控制还是极端温度下的设备,该比较器都能够保持可靠性和性能。
NCV2903DR2G 采用8-SOIC封装,宽度为3.90mm,适合表面贴装技术(SMT)。这一优点使得其在空间受限的应用中优势明显,更方便与现代生产工艺相结合。
由于其卓越的性能参数,NCV2903DR2G 广泛应用于以下领域:
综上所述,NCV2903DR2G 是一款高性能的双路比较器,凭借其高供电电压范围、低输入偏置电流、快速传播延迟及宽广的工作温度范围等优势,为电子系统设计提供了极大的灵活性与可靠性。无论是在高温、高压,还是复杂信号的处理场合,NCV2903DR2G 都能成为设计者的有力助手,是各类高性能电路的合适选择。