集射极击穿电压(Vces) | 600V | 集电极电流(Ic) | 25A |
功率(Pd) | 70W | 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.5V@15V,7A |
栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 35nC | 开启延迟时间(Td(on)) | 18.5ns |
关断延迟时间(Td(off)) | 72ns | 导通损耗(Eon) | 0.095mJ |
关断损耗(Eoff) | 0.115mJ | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STGD7NC60HT4 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),其具有出色的电流承载能力与高电压工作范围,广泛应用于工业控制、电动机驱动、转换器以及其他功率电子设备中。该IGBT设计为表面贴装型,适合现代电子元器件的小型化要求,极大地支持了电子电路的多功能集成。
电气特性:
开关特性:
工作温度与封装:
栅极驱动特性:
STGD7NC60HT4 IGBT 由于其卓越的性能,适合于以下应用领域:
结合高耐压与大电流能力,STGD7NC60HT4 在现代电力电子领域中无疑是一款颇具市场竞争力的IGBT器件。其出色的开关损耗性能及温度适应性使得它可以满足多种应用需求,特别是在需要高效能与可靠性的工业场合。选择STGD7NC60HT4,无疑是确保系统稳定性与高效性的明智之选。
此器件在功率电子技术日趋复杂的背景下站稳脚跟,彰显了意法半导体在功率半导体领域的领导地位与技术实力。