类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@10V,1A |
功率(Pd) | 1.6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 121pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 11pF@25V | 工作温度 | -40℃~+150℃ |
STS2DNF30L是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能双N沟道场效应管(MOSFET),其设计专注于逻辑电平门应用。该产品支持多种工业和消费电子应用,能够在各种环境条件下高效运行。以其卓越的电流处理能力及优秀的导通性能,广泛用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。
结构和类型:
电气规格:
周边电气特性:
热性能:
STS2DNF30L广泛应用于各种领域:
与其它同类产品相比,STS2DNF30L凭借其高导通效率、高温工作能力和稳定的电气特性,提供了低导通损耗和低电源干扰的优点。同时,市场上较为紧凑的SOIC-8封装,使其易于集成于各种电子设备中,极大地方便了客户的设计需求。
STS2DNF30L是一个兼具性能与可靠性的高效双N沟道MOSFET,适用于各种逻辑电平控制的应用场景。其广泛的工作电压、出色的导通电阻及稳定的温度特性使得它成为功率管理、电机驱动及LED控制等领域的一款理想选择。意法半导体凭借其深厚的技术积累与创新能力,为客户提供了值得信赖的电子解决方案。无论是在工业应用还是消费电子产品中,STS2DNF30L都可以为客户带来高效、稳定的性能,助力其产品在竞争中脱颖而出。