类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V,2A |
功率(Pd) | 500mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.2nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 298pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 39pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
FDN360P 是一种高性能的 P 通道 MOSFET,具有高导通效率及良好的热稳定性,适合广泛的电源管理应用。该器件由安森美(ON Semiconductor)制造,封装形式为 SuperSOT-3(也称为 SOT-23),便于表面贴装,使其在现代电子设备中占据重要地位。FDN360P 的额定漏源电压为 30V,连续漏极电流可达到 2A,符合许多低功耗应用的需求。
电压和电流特性:
栅极驱动:
开关特性:
热特性与功率:
FDN360P 的特性使其非常适合用于多种应用场景,包括但不限于:
FDN360P 是一款出色的 P 通道 MOSFET,以其优异的电气性能和热稳定性,在电源管理和开关应用中表现出众。无论是在家用电器、消费电子还是工业设备,FDN360P 都展示了较高的灵活性和可靠性,是设计工程师在实现高效电路时的重要选择。
通过选择 FDN360P,用户不仅可以降低能耗,还能提高系统性能,让其在现代电子设备中成为不可或缺的组成部分。其表面贴装设计也使得在紧凑型电路板上进行布局成为可能,极大提高了电路设计的灵活性。