FDN360P 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FDN360P

商品编码: BM0084329519
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SuperSOT-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 500mW 30V 2A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
7835(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.819
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.819
--
200+
¥0.631
--
1500+
¥0.548
--
3000+
¥0.51
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

FDN360P参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)2A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)80mΩ@10V,2A
功率(Pd)500mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1.9V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.2nC输入电容(Ciss@Vds)298pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)39pF@15V工作温度-55℃~+150℃

FDN360P手册

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FDN360P概述

FDN360P 产品概述

一、产品简介

FDN360P 是一种高性能的 P 通道 MOSFET,具有高导通效率及良好的热稳定性,适合广泛的电源管理应用。该器件由安森美(ON Semiconductor)制造,封装形式为 SuperSOT-3(也称为 SOT-23),便于表面贴装,使其在现代电子设备中占据重要地位。FDN360P 的额定漏源电压为 30V,连续漏极电流可达到 2A,符合许多低功耗应用的需求。

二、关键参数

  1. 电压和电流特性

    • 漏源电压 (Vdss): 30V,适合于许多常见的中低压电路。
    • 连续漏极电流 (Id): 2A, 提高了功率管理的灵活性和稳定性。
  2. 栅极驱动

    • 驱动电压 (Vgs): 在 4.5V 和 10V 时达到最佳的 Rds(on) 值,最小导通电阻仅为 80 毫欧,确保了低损耗运行。
    • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 3V @ 250µA,有助于实现快速的开关响应。
  3. 开关特性

    • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 9nC @ 10V,表明该器件在开关过程中能够有效地降低驱动功耗。
    • 输入电容 (Ciss): 最大值为 298pF @ 15V,适合用于高频率开关应用。
  4. 热特性与功率

    • 功率耗散 (Pd): 最大 500mW,确保在工作温度范围内的高效率。
    • 工作温度: -55°C 到 150°C,适合在恶劣环境下运行。

三、应用场景

FDN360P 的特性使其非常适合用于多种应用场景,包括但不限于:

  • 电源管理: 适用于 DC-DC 转换器、线性稳压器、反向开关电源等。
  • 开关电路: 可用于开关电源的控制,轻松实现高效的电流管理。
  • 低功耗电子设备: 例如智能手机、平板电脑等便携式设备中的电源开关。
  • 自动化与控制: 适用于工业控制中液压及气动系统的驱动开关,降低能耗。

四、结论

FDN360P 是一款出色的 P 通道 MOSFET,以其优异的电气性能和热稳定性,在电源管理和开关应用中表现出众。无论是在家用电器、消费电子还是工业设备,FDN360P 都展示了较高的灵活性和可靠性,是设计工程师在实现高效电路时的重要选择。

通过选择 FDN360P,用户不仅可以降低能耗,还能提高系统性能,让其在现代电子设备中成为不可或缺的组成部分。其表面贴装设计也使得在紧凑型电路板上进行布局成为可能,极大提高了电路设计的灵活性。