晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 6A |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | 功率(Pd) | 20W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@0.3A,4V | 特征频率(fT) | 3MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@6A,600mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
MJD41CT4G是一款高性能的NPN功率晶体管,专为各种高电流和高电压应用设计。作为一款表面贴装型三极管,其封装形式为TO-252-3(DPAK),该器件在尺寸、性能和高可靠性方面均表现优异,广泛应用于消费电子、工业控制、电源管理等领域。其适用的工作温度范围从-65°C到150°C,确保在极端条件下仍能可靠运行。
MJD41CT4G广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于:
MJD41CT4G集多项优点于一身:
总之,MJD41CT4G凭借其优异的电气特性和广泛的适用范围,成为了许多工程师和设计师在选择NPN功率晶体管时的首选。无论是在消费电子,还是在Industrial Automation领域,这款晶体管都展现出了其强大的性能和高可靠性,为各类应用提供了坚实的基础,是实现高效电源管理和信号控制的理想选择。