MMBT2222ALT3G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBT2222ALT3G

商品编码: BM0084329539
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.038g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 40V 600mA NPN SOT-23-3
库存 :
62(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.384
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.384
--
500+
¥0.128
--
5000+
¥0.0854
--
10000+
¥0.0699
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBT2222ALT3G参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)35@0.1mA,10V特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)10nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃

MMBT2222ALT3G手册

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MMBT2222ALT3G概述

产品概述:MMBT2222ALT3G

一、概述

MMBT2222ALT3G 是ON Semiconductor生产的一款高性能NPN型三极管,广泛应用于多种电子设备中。这款三极管封装采用表面贴装型SOT-23-3 (TO-236),具有优秀的电气性能和可靠性,适合用于低电流驱动和信号放大等应用场合。由于其出色的特性,MMBT2222ALT3G在消费电子、通信设备、工业控制和其他高技术领域中得到了广泛的应用。

二、主要参数

  1. 晶体管类型: NPN
  2. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ)
  3. 最大集电极电流 (Ic): 600mA
  4. 最大集射极击穿电压 (Vce): 40V
  5. 功率最大值: 300mW
  6. Vce饱和压降: 1V,测试条件下为50mA和500mA
  7. 集电极截止电流 (ICBO): 最大10nA
  8. DC电流增益 (hFE): 最小值100(测试条件下为150mA,10V)
  9. 跃迁频率: 300MHz
  10. 包装方式: 卷带(TR)

三、关键功能与优势

  1. 高频率响应: MMBT2222ALT3G能够在300MHz的频段下稳定工作,这使得其非常适合于高频率应用,比如RF(射频)放大器和信号调制等。

  2. 大电流处理能力: 该三极管允许最大600mA的集电极电流,使其能够驱动较高功率的负载,如继电器和电机。这种高电流特性使得MMBT2222ALT3G在电源切换和负载驱动中表现优秀。

  3. 低功耗特性: 由于最大功率限制为300mW,MMBT2222ALT3G的使用能够有效控制功耗,并适用于便携式和电池供电的应用。

  4. 广泛的工作温度范围: 工作温度从-55°C到150°C,表明它具有良好的环境适应性,适用于恶劣的工业应用环境及军事标准。

  5. 小型化设计: SOT-23-3的封装设计使其尺寸小,便于在紧凑的电路板中安装,有利于产品的轻量化和小型化。

四、应用场景

MMBT2222ALT3G在众多领域中都有广泛的应用,包括但不限于:

  • 消费电子: 在小型家电、个人电子设备中的信号放大和开关控制。
  • 通信设备: 用于手机、无线路由器中的放大器和开关电路。
  • 汽车电子: 在车辆的传感器、控制单元中,进行信号的放大和调节。
  • 工业设备: 在PLC控制系统、监控系统等工业控制中,作为开关元件和信号放大器。
  • 电源管理: 在电源适配器中用于多路复用及开关稳压电源的反馈回路。

五、总结

MMBT2222ALT3G是一款结合了高频响应、高电流处理能力和低功耗特性的高性能NPN三极管,其稳定性和可靠性在电子应用领域中具有显著优势。凭借宽温度范围和小型化封装,MMBT2222ALT3G适用于各种要求高效能和小型化设计的产品,成为现代电子设计不可或缺的元器件之一。ON Semiconductor凭借其专业的制造工艺和卓越的产品质量,使得这款产品在市场上赢得了良好的声誉,成为设计师和工程师的首选。