晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 600mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 35@0.1mA,10V | 特征频率(fT) | 300MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@500mA,50mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBT2222ALT3G 是ON Semiconductor生产的一款高性能NPN型三极管,广泛应用于多种电子设备中。这款三极管封装采用表面贴装型SOT-23-3 (TO-236),具有优秀的电气性能和可靠性,适合用于低电流驱动和信号放大等应用场合。由于其出色的特性,MMBT2222ALT3G在消费电子、通信设备、工业控制和其他高技术领域中得到了广泛的应用。
高频率响应: MMBT2222ALT3G能够在300MHz的频段下稳定工作,这使得其非常适合于高频率应用,比如RF(射频)放大器和信号调制等。
大电流处理能力: 该三极管允许最大600mA的集电极电流,使其能够驱动较高功率的负载,如继电器和电机。这种高电流特性使得MMBT2222ALT3G在电源切换和负载驱动中表现优秀。
低功耗特性: 由于最大功率限制为300mW,MMBT2222ALT3G的使用能够有效控制功耗,并适用于便携式和电池供电的应用。
广泛的工作温度范围: 工作温度从-55°C到150°C,表明它具有良好的环境适应性,适用于恶劣的工业应用环境及军事标准。
小型化设计: SOT-23-3的封装设计使其尺寸小,便于在紧凑的电路板中安装,有利于产品的轻量化和小型化。
MMBT2222ALT3G在众多领域中都有广泛的应用,包括但不限于:
MMBT2222ALT3G是一款结合了高频响应、高电流处理能力和低功耗特性的高性能NPN三极管,其稳定性和可靠性在电子应用领域中具有显著优势。凭借宽温度范围和小型化封装,MMBT2222ALT3G适用于各种要求高效能和小型化设计的产品,成为现代电子设计不可或缺的元器件之一。ON Semiconductor凭借其专业的制造工艺和卓越的产品质量,使得这款产品在市场上赢得了良好的声誉,成为设计师和工程师的首选。