晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 40@0.1mA,1.0V | 特征频率(fT) | 300MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@10mA,1.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBT3904LT3G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的高性能NPN型三极管(BJT)。其设计旨在满足现代电子设备对高效能和可靠性的需求。凭借其广泛的工作温度范围、出色的电流增益和较低的饱和压降,MMBT3904LT3G成为了多种应用场合中的理想选择。
MMBT3904LT3G采用的是卷带(TR)包装,适合自动化贴装。该器件状态为有源,适用于各种电子电路中的放大和开关应用。以下是其主要技术参数:
高频特性:MMBT3904LT3G具有高达300MHz的频率跃迁,能有效支持高频信号的放大,适用于射频及高速信号处理设备。
稳定的电流增益:在全工作范围内,MMBT3904LT3G展现出稳定的电流增益特性,这使得其在多种电路设计中均可保持良好的性能。
优异的散热能力:该型号三极管能够在最大150°C的工作环境下正常运行,确保其在高温条件下的可靠性,适用于严苛的工业和汽车应用。
小型化优点:采用SOT-23-3封装,使得其具有较小的占板面积,非常适合对空间要求严格的便携设备及消费电子产品。
MMBT3904LT3G适用的应用场景广泛,包括但不限于:
MMBT3904LT3G是一款具有高频特性的NPN三极管,凭借其出色的电流增益、较低的饱和压降以及适应广泛工作温度的能力,成为电子设计领域中值得信赖的选择。 ON Semiconductor通过这款三极管所展示出的高性能和可靠性,使得其在多种应用中得以广泛使用,为设计师们提供了更大的灵活性和创作空间。借助MMBT3904LT3G,工程师能够在性能与效率之间找到完美的平衡,为各种电子产品带来优异的电气性能和用户体验。