集射极击穿电压(Vces) | 600V | 集电极电流(Ic) | 25A |
功率(Pd) | 80W | 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.5V@15V,7A |
栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 34.4nC | 开启延迟时间(Td(on)) | 22.5ns |
关断延迟时间(Td(off)) | 116ns | 导通损耗(Eon) | 0.082mJ |
关断损耗(Eoff) | 0.155mJ | 反向恢复时间(Trr) | 37ns |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STGB14NC60KDT4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),广泛应用于电力电子领域。该器件特别适合于需要高开关频率和高电流处理能力的应用,如逆变器、电动机驱动器和其他大功率变换器。下面是对该产品的详细概述。
STGB14NC60KDT4的参数展示了其强大的性能和多样的应用潜力:
该器件采用D2PAK封装,这是一个以散热性能见长的封装设计,能够有效地管理热量,适合在高功率场合下使用。D2PAK的设计也允许其在需要表面贴装的应用中,提供更强的机械强度和电气性能。
STGB14NC60KDT4适用于以下领域和设备:
总之,STGB14NC60KDT4以其卓越的性能参数、可靠性和灵活的应用性,在现代电力电子设备中占据了重要位置。其适应各种应用需求的能力使其在不断发展的电动交通、可再生能源及工业自动化等领域中日益受到关注,成为工程师与设计师们的重要选择之一。无论是在设计新型电源转换应用,还是在现有设备中替代传统元件,STGB14NC60KDT4均可为用户提供显著的性能提升和可靠性保证。