类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 3.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 72mΩ@4.2A,10V |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15.9nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 708pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMP3068L-13 是美台(DIODES)公司推出的一款高性能P沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备以及电源管理系统中。该器件以其优越的电气特性和可靠性,成为设计工程师在电源控制、开关电源及小型电机驱动等应用领域的重要选择。
FET 类型及技术:
电压和电流规格:
低导通电阻:
Vgs(th) 和驱动电压:
栅极电荷:
广泛的工作温度范围:
功率耗散与封装:
DMP3068L-13 的特性使其广泛应用于各类电子产品中,包括:
总之,DMP3068L-13 以其卓越的性能和可靠性,成为许多应用场景中的热门选择。其优质的电气参数、宽广的工作温度范围及适中的功耗特性,使其在新一代电子设计中,尤其是在电源管理和驱动控制领域发挥着重要的作用。在选择合适的MOSFET时,DMP3068L-13无疑是一个值得考虑的高性价比解决方案。