STGW20H60DF 产品实物图片
STGW20H60DF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STGW20H60DF

商品编码: BM0084329915
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-247
包装 : 
管装
重量 : 
6.5g
描述 : 
IGBT管/模块 600V 167W FS(场截止) 40A TO-247AC-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
12.15
按整 :
管(1管有600个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥12.15
--
10+
¥10.48
--
600+
¥10.17
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

STGW20H60DF参数

IGBT类型FS(场截止)集射极击穿电压(Vces)600V
集电极电流(Ic)40A功率(Pd)167W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)2V@15V,20A栅极电荷(Qg@Ic,Vge)115nC
开启延迟时间(Td(on))42.5ns关断延迟时间(Td(off))177ns
导通损耗(Eon)0.209mJ关断损耗(Eoff)0.261mJ
反向恢复时间(Trr)90ns工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

STGW20H60DF手册

STGW20H60DF概述

STGW20H60DF 产品概述

概述
STGW20H60DF 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),适用于高压应用,如逆变器、驱动器和各种电力电子设备。该产品的设计特性使其在各种工业和消费类电子应用中表现出众,尤其在需要高效率、高功率和优秀温度稳定性的场合。

主要特性

  • 安装类型:通孔(Through Hole),这种安装方式在高功率和高电流应用中得到广泛应用,便于散热和机械固定。
  • 最大集电极电流 (Ic):40A,适合高功率导致的电流负载条件。
  • 栅极电荷 (Qg):115nC,回馈时间短,有助于实现快速开关操作,提高效率。
  • IGBT 类型:沟槽型场截止,具有较低的导通损耗和更高的开关频率,适合高效能操作。
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):600V,保障了其在高压环境下的稳定性。
  • 导通电压 (Vce(on)):在25°C时,Vge=15V 和 Ic=20A 时,最大值为2V,显示出该器件良好的导电性能。
  • 脉冲集电极电流 (Icm):80A,提供额外的安全边际,在瞬态条件下表现优越。
  • 工作温度范围:-55°C ~ 175°C(TJ),使其能够在严苛环境下稳定工作,适用于工业应用和军事应用等要求严格的使用场合。

动态特性

  • 开关能量:开关过程中需要的能量为209µJ(开)和261µJ(关),这些值反映了该IGBT在高频操作时的能效,有助于降低系统整体耗能。
  • 开关时间 (Td):在25°C时的开关延迟时间为42.5ns(开)和177ns(关),表明该器件在频繁开关应用中的敏捷性和响应性。
  • 反向恢复时间 (trr):90ns,反向恢复时间短,有利于提高开关频率并降低开关损耗。

应用场景
STGW20H60DF 的设计使其适用于多种应用场景,尤其是在以下领域:

  • 逆变器:在太阳能逆变器和UPS(不间断电源)中用于高效地转换电源。
  • 电机驱动:适用于工业电机控制,提高驱动效率和动态响应性能。
  • 开关电源:在高频COBS(云计算、办公室、家庭)开关电源设计中使用,降低能耗。
  • 焊接设备:在电弧焊和激光焊接设备中,提供高效的功率转换和控制。

封装和散热
该IGBT采用TO-247封装,这种封装形式不仅增强了热散流能力,还提供了较大的接触面,方便与散热器连接,有效降低器件在高负载条件下的温度。

总结
STGW20H60DF 是一款性能优异且多功能的IGBT,广泛应用于高功率和高效率的电力电子设备中。其独特的参数和良好的动态性能使其在各种电力转换和控制应用中具备显著优势。无论是工业应用还是高要求的消费类产品,STGW20H60DF 都是值得信赖的选择,适合那些对性能和可靠性有着严格要求的设计需求。