IGBT类型 | FS(场截止) | 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
集电极电流(Ic) | 40A | 功率(Pd) | 167W |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2V@15V,20A | 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 115nC |
开启延迟时间(Td(on)) | 42.5ns | 关断延迟时间(Td(off)) | 177ns |
导通损耗(Eon) | 0.209mJ | 关断损耗(Eoff) | 0.261mJ |
反向恢复时间(Trr) | 90ns | 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
概述
STGW20H60DF 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),适用于高压应用,如逆变器、驱动器和各种电力电子设备。该产品的设计特性使其在各种工业和消费类电子应用中表现出众,尤其在需要高效率、高功率和优秀温度稳定性的场合。
主要特性
动态特性
应用场景
STGW20H60DF 的设计使其适用于多种应用场景,尤其是在以下领域:
封装和散热
该IGBT采用TO-247封装,这种封装形式不仅增强了热散流能力,还提供了较大的接触面,方便与散热器连接,有效降低器件在高负载条件下的温度。
总结
STGW20H60DF 是一款性能优异且多功能的IGBT,广泛应用于高功率和高效率的电力电子设备中。其独特的参数和良好的动态性能使其在各种电力转换和控制应用中具备显著优势。无论是工业应用还是高要求的消费类产品,STGW20H60DF 都是值得信赖的选择,适合那些对性能和可靠性有着严格要求的设计需求。