STB13007DT4 产品实物图片
STB13007DT4 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STB13007DT4

商品编码: BM0084329927
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
编带
重量 : 
1.569g
描述 : 
三极管(BJT) 80W 400V 8A NPN D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.31
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.31
--
100+
¥3.45
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STB13007DT4参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)16A
集射极击穿电压(Vceo)700V功率(Pd)80W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)8@5A,5V集电极截止电流(Icbo)100uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)2V@5A,1A工作温度-65℃~+150℃

STB13007DT4手册

STB13007DT4概述

STB13007DT4 产品概述

1. 产品简介

STB13007DT4是一款高性能NPN型功率晶体管,专为需要大电流和高电压的应用场合而设计。该器件由意法半导体(STMicroelectronics)制造,拥有400V的集射极击穿电压和8A的最大集电极电流,使其在各种电源管理和开关应用中表现优异。其封装采用D2PAK形式,适合表面贴装,易于集成于现代电路设计中。

2. 基本参数

  • 类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 8A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 400V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在1A、5A时最大3V
  • 最大集电极截止电流: 100µA
  • 直流电流增益 (hFE): 在5A、5V条件下,最小值为8
  • 最大功率: 80W
  • 工作温度范围: -55°C至150°C
  • 封装类型: D2PAK

3. 应用领域

STB13007DT4广泛应用于各类需要高功率开关或放大功能的电子设备中。常见的应用包括但不限于:

  • 开关电源: 可在高频率下高效切换,实现电压和电流的有效控制。
  • 电机控制: 在电动机驱动和控制系统中,作为开关元件,帮助实现变频驱动以及调速功能。
  • 照明控制: 在LED驱动电路中,作为开关元件,可以用于调光及开关控制。
  • 电池管理系统: 在电池充电和放电的过程中,提供可靠的开关控制。

4. 性能特点

STB13007DT4具备以下性能优势:

  • 高电压与大电流承受能力: 其400V的集射击穿电压和8A的集电极电流,使其适合高负载的电源管理和驱动应用。
  • 较低的饱和压降: 在驱动负载时产生的能量损耗较小,提高了系统的整体效率。
  • 高直流电流增益: 提供更高的电流放大能力,降低偏置电流,提高电路设计的灵活性。
  • 宽工作温度范围: 使其可以在苛刻的环境条件下可靠运行,增强了应用的适应性。

5. 安装与设计考虑

STB13007DT4采用D2PAK封装,适合表面贴装,具有良好的散热能力,可以有效管理产生的热量。在设计电路时,需要关注其工作环境的温度以及散热设计,以确保晶体管在工作过程中不超出其额定参数。此外,合理的电流限制和保护措施也应当结合应用电路,以保护器件和延长使用寿命。

6. 结论

STB13007DT4是一款性能卓越的NPN功率晶体管,结合其高电压、大电流能力、低饱和压降和较高的电流增益,使其在各种高功率应用中都具有广泛的适用性。无论是在电源转换、马达控制还是其他电子设备中,STB13007DT4都是一个可靠的选择,能够满足现代电子设计中对性能、效率和耐用性的高要求。

在进行产品选型时,用户应仔细考虑应用需求和工作条件,以最大程度地发挥该器件的优势,确保系统的稳定性和可靠性。