晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 16A |
集射极击穿电压(Vceo) | 700V | 功率(Pd) | 80W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 8@5A,5V | 集电极截止电流(Icbo) | 100uA |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 2V@5A,1A | 工作温度 | -65℃~+150℃ |
STB13007DT4是一款高性能NPN型功率晶体管,专为需要大电流和高电压的应用场合而设计。该器件由意法半导体(STMicroelectronics)制造,拥有400V的集射极击穿电压和8A的最大集电极电流,使其在各种电源管理和开关应用中表现优异。其封装采用D2PAK形式,适合表面贴装,易于集成于现代电路设计中。
STB13007DT4广泛应用于各类需要高功率开关或放大功能的电子设备中。常见的应用包括但不限于:
STB13007DT4具备以下性能优势:
STB13007DT4采用D2PAK封装,适合表面贴装,具有良好的散热能力,可以有效管理产生的热量。在设计电路时,需要关注其工作环境的温度以及散热设计,以确保晶体管在工作过程中不超出其额定参数。此外,合理的电流限制和保护措施也应当结合应用电路,以保护器件和延长使用寿命。
STB13007DT4是一款性能卓越的NPN功率晶体管,结合其高电压、大电流能力、低饱和压降和较高的电流增益,使其在各种高功率应用中都具有广泛的适用性。无论是在电源转换、马达控制还是其他电子设备中,STB13007DT4都是一个可靠的选择,能够满足现代电子设计中对性能、效率和耐用性的高要求。
在进行产品选型时,用户应仔细考虑应用需求和工作条件,以最大程度地发挥该器件的优势,确保系统的稳定性和可靠性。