STD2N80K5

产品概述：STD2N80K5 N 通道 MOSFET

一、基本信息

STD2N80K5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）。该器件专为高电压和中等电流的应用场景而设计，具有800V的漏源电压（Vdss），非常适合用于高压开关电源和电力电子设备。其连续漏极电流（Id）为2A，并且在很宽的工作温度范围内运行，便于满足各种工业和消费类电子设备的需要。

二、重要参数

1. 漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的漏源电压高达800V，使其能够在高压环境中可靠工作。

2. 持续漏极电流（Id）: 在25°C 时，持续漏极电流为2A，这使得该器件可以在相对高的负载下稳定运行。

3. 导通电阻（Rds(on)）: 在10V 的栅源电压下，当电流为1A 时，最大导通电阻为4.5Ω，低导通电阻可以减少在工作中热量的产生，提高整体效率。

4. 阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为5V，允许其在较低的栅压下导通，增强了电路设计的灵活性。

5. 栅极电荷（Qg）: 在10V 的栅压下，栅极电荷的最大值为3nC，这表明其在开关过程中需要较小的栅驱动能量，适合高频开关应用。

6. 工作温度范围: 该器件能在-55°C 至 150°C 的宽温度范围内可靠工作，满足不同环境条件下的应用需求。

7. 封装类型: STD2N80K5 采用 DPAK（TO-252-3）封装，适合表面贴装，便于自动化加工及密集布局的应用场景。

三、应用场景

STD2N80K5 是一款多功能的 MOSFET，广泛应用于以下领域：

1. 开关电源: 在高频开关电源（SMPS）中，利用其高电压承受能力和低导通电阻特性，提升电源转换的效率。

2. 电动汽车和混合动力汽车: 该器件可以用于动力传输或电池管理系统，帮助实现高效的电力控制。

3. 电机驱动: 可作为电机驱动电路的开关元件，控制电机的启动、停止和调速。

4. 逆变器: 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中，STD2N80K5具备高压和高频开关的特性，优于传统的开关器件。

5. 负载开关: 可用于各种消费电子、家电中的负载开关，提供可靠的开关控制。

四、总结

STD2N80K5 N 通道 MOSFET 提供了卓越的性能，适合于高压与中等电流的各种电子应用。其高电压、高功率容限、宽工作温度范围以及小型化封装设计，使之成为现代电力电子设计中的理想选择。无论是在工业设备、消费电子、还是新能源汽车等领域，STD2N80K5 都能发挥重要作用，帮助推动更高效的电力转换和管理技术。选择 STD2N80K5，您将获得一种兼具可可靠性及出色性能的高端MOSFET方案，为您的产品增添竞争优势。