类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 5.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 95mΩ@10V,4.5A |
功率(Pd) | 5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 22nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1nF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 75pF@30V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
SQ3427AEEV-T1_GE3 产品概述
产品简介
SQ3427AEEV-T1_GE3 是一款高性能P沟道MOSFET(场效应晶体管),由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)生产。该器件设计旨在满足各种电源和开关应用的需求,尤其适合于高效能电路设计。这款FET具备优越的电压和电流特性,并且在极宽的工作温度范围内表现出色,适合于在严苛的环境中工作。其封装为TSOP-6(细型SOT-23-6),使其能够在空间受限的应用中提供最佳的解决方案。
主要参数
SQ3427AEEV-T1_GE3的基础性能指标让它在众多同类产品中脱颖而出。其最大漏源电压(Vdss)为60V,能持续承载5.3A的漏极电流(Id,该数据为在25°C时的最大额定电流)。这使得该器件可在中到高电压和电流的应用中表现良好。
作为一款高效的MOSFET,其在10V驱动电压下,导通阻抗(Rds On)最大值可低至95毫欧(@4.5A),反映了其非常良好的导电性能,能够有效减少功耗,提升能量转化效率。此外,该器件的阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V(@250µA),使其可以在较低的栅极驱动电压下可靠地开启。
电气特性
SQ3427AEEV-T1_GE3具有良好的输入电容特性,其最大输入电容(Ciss)为1000pF(@30V),保证了所需的驱动信号变化迅速。此外,该器件的栅极电荷(Qg)最大值为22nC(@10V),这进一步降低了开关时的能量损耗,使其在高频开关应用中更具应用潜力。
功率和温度特性
该MOSFET的最大功率耗散为5W(Tc),尽管受限于工作条件,它仍然能够持续工作,同时保持良好的散热性能。SQ3427AEEV-T1_GE3的工作温度范围宽广,从-55°C到175°C(TJ),确保其在高温或低温环境下均能可靠运行,是高温应用的理想选择。
封装与应用
SQ3427AEEV-T1_GE3采用的TSOP-6封装类型,拥有1.5mm的厚度,适合贴装到各种电子电路板上。由于其尺寸小巧且性能强大,使其在便携式设备、消费电子、电动工具、汽车电子等众多应用场合中均得到了广泛的使用。
应用场景
具体应用包括但不限于:
总结
总体而言,SQ3427AEEV-T1_GE3 P沟道MOSFET是一个性能优越且灵活的电源管理解决方案。其卓越的电气特性、宽广的工作温度范围和适应性强的封装选择,都使得它在现代电子设备设计中占据了重要的地位。无论是在工业还是消费类产品中,SQ3427AEEV-T1_GE3都能为设计工程师提供可预见的性能与可靠性,进而提升产品的整体竞争力。