SQ3427AEEV-T1_GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SQ3427AEEV-T1_GE3

商品编码: BM0084329987
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TSOP-6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 5W 60V 5.3A 1个P沟道 TSOP-6-1.5mm
库存 :
5968(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.73
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.73
--
3000+
¥1.64
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SQ3427AEEV-T1_GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5.3A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)95mΩ@10V,4.5A
功率(Pd)5W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)75pF@30V工作温度-55℃~+175℃

SQ3427AEEV-T1_GE3手册

SQ3427AEEV-T1_GE3概述

SQ3427AEEV-T1_GE3 产品概述

产品简介

SQ3427AEEV-T1_GE3 是一款高性能P沟道MOSFET(场效应晶体管),由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)生产。该器件设计旨在满足各种电源和开关应用的需求,尤其适合于高效能电路设计。这款FET具备优越的电压和电流特性,并且在极宽的工作温度范围内表现出色,适合于在严苛的环境中工作。其封装为TSOP-6(细型SOT-23-6),使其能够在空间受限的应用中提供最佳的解决方案。

主要参数

SQ3427AEEV-T1_GE3的基础性能指标让它在众多同类产品中脱颖而出。其最大漏源电压(Vdss)为60V,能持续承载5.3A的漏极电流(Id,该数据为在25°C时的最大额定电流)。这使得该器件可在中到高电压和电流的应用中表现良好。

作为一款高效的MOSFET,其在10V驱动电压下,导通阻抗(Rds On)最大值可低至95毫欧(@4.5A),反映了其非常良好的导电性能,能够有效减少功耗,提升能量转化效率。此外,该器件的阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V(@250µA),使其可以在较低的栅极驱动电压下可靠地开启。

电气特性

SQ3427AEEV-T1_GE3具有良好的输入电容特性,其最大输入电容(Ciss)为1000pF(@30V),保证了所需的驱动信号变化迅速。此外,该器件的栅极电荷(Qg)最大值为22nC(@10V),这进一步降低了开关时的能量损耗,使其在高频开关应用中更具应用潜力。

功率和温度特性

该MOSFET的最大功率耗散为5W(Tc),尽管受限于工作条件,它仍然能够持续工作,同时保持良好的散热性能。SQ3427AEEV-T1_GE3的工作温度范围宽广,从-55°C到175°C(TJ),确保其在高温或低温环境下均能可靠运行,是高温应用的理想选择。

封装与应用

SQ3427AEEV-T1_GE3采用的TSOP-6封装类型,拥有1.5mm的厚度,适合贴装到各种电子电路板上。由于其尺寸小巧且性能强大,使其在便携式设备、消费电子、电动工具、汽车电子等众多应用场合中均得到了广泛的使用。

应用场景

具体应用包括但不限于:

  1. 开关电源:在电源管理中用作主开关。
  2. 驱动电路:为电机、继电器等负载提供高效的驱动。
  3. 高频开关电路:在RF线性放大器等应用中使用。
  4. 电池管理系统:优化电池充放电过程中的能量效率。

总结

总体而言,SQ3427AEEV-T1_GE3 P沟道MOSFET是一个性能优越且灵活的电源管理解决方案。其卓越的电气特性、宽广的工作温度范围和适应性强的封装选择,都使得它在现代电子设备设计中占据了重要的地位。无论是在工业还是消费类产品中,SQ3427AEEV-T1_GE3都能为设计工程师提供可预见的性能与可靠性,进而提升产品的整体竞争力。