W25Q80DVSNIG TR 产品实物图片
W25Q80DVSNIG TR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

W25Q80DVSNIG TR

商品编码: BM0084329988
品牌 : 
WINBOND(华邦)
封装 : 
8-SOIC
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
NOR FLASH 8Mbit SPI 3ms 2.7V~3.6V SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.1
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.1
--
2500+
¥2.01
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

W25Q80DVSNIG TR参数

接口类型SPI存储容量8Mbit
时钟频率(fc)104MHz工作电压2.7V~3.6V
页写入时间(Tpp)800us块擦除时间(tBE)200ms@(64KB)
数据保留 - TDR(年)20年工作温度-40℃~+85℃

W25Q80DVSNIG TR手册

W25Q80DVSNIG TR概述

W25Q80DVSNIG TR 产品概述

概述

W25Q80DVSNIG TR 是一款高性能的8Mbit(1M x 8)NOR闪存芯片,采用表面贴装型(SMD)技术,封装为8-SOIC。该器件由华邦(WINBOND)制造,广泛应用于各类电子产品的数据存储解决方案中。W25Q80DVSNIG TR 产品不仅具备灵活的存储容量和高速的读写性能,还能满足广大消费者对非易失性存储器的需求。

技术规格

  • 时钟频率: 最大104MHz,支持高速读写操作,同时兼容更低频率的应用,提供灵活性;
  • 存储容量: 8Mb(1M x 8),适合存储大容量数据炎,用于音频、图像以及其他数据集的存储;
  • 接口类型: SPI(串行外设接口)提供简单、低引脚数的连接方式,简化了线路设计,并减少了PCB的占用空间;
  • 写周期时间: 字和页写入时间均为3ms,适合快速数据写入需求,尤其是在实时系统中;
  • 工作温度范围: -40°C ~ 85°C,确保芯片在各种工业和严苛环境条件下的稳定运行;
  • 供电电压: 2.7V ~ 3.6V,适配多种电源设计,降低功耗并提升系统效率;
  • 技术类型: NOR闪存,提供快速、随机访问的特性,适合执行代码和数据存储场景;
  • 非易失性存储: 保证在断电的情况下,数据不会丢失,极大地提升了系统的可靠性。

应用场景

W25Q80DVSNIG TR NOR闪存广泛应用于多个领域,特别是在要求高性能和稳定性的设备中,典型应用包括但不限于:

  • 嵌入式系统: 由于其非易失性和高耐用性,广泛应用于微控制器和单片机的程序存储和数据存储中;
  • 消费电子产品: 适用于智能家居设备、便携式音频播放设备、电子游戏机等,保证数据存储的持久性和安全性;
  • 工业设备: 在自动化控制系统、传感器节点以及其他工业控制中使用,保证数据的准确读取和写入;
  • 汽车电子: 符合汽车电子的高温运行要求,应用于车载导航、信息娱乐系统等,确保系统稳定运行;
  • 医疗设备: 存储患者数据、历史记录和设备运行状态,保障数据存储的安全和可靠。

结论

W25Q80DVSNIG TR 作为一款高可靠性的8Mbit NOR闪存芯片,凭借其快速读写性能、宽广的工作温度范围以及高效的能耗控制,已成为众多电子设备存储解决方案的优选产品。华邦(WINBOND)的这一创新产品将大大增强各类应用的性能和可靠性,其灵活的SPI接口和便于集成的8-SOIC封装,进一步拓展了其在快速发展的电子市场中的应用前景。通过选择W25Q80DVSNIG TR,设计工程师能够以较低的成本实现高效的系统设计,同时保证最终产品的质量和稳定性。