类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 75V |
连续漏极电流(Id) | 100A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.8mΩ@10V,78A |
功率(Pd) | 200W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 250nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.6nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 190pF@15V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
产品概述:IRF1407STRLPBF
IRF1407STRLPBF是一款由德国半导体制造商Infineon Technologies出品的高性能N通道MOSFET,属于HEXFET®系列。此次产品适用于各种高效能电源管理和功率转换场景,凭借其卓越的电流承载能力和低导通电阻,IRF1407STRLPBF在工业和汽车应用中都展示出巨大的潜力。
IRF1407STRLPBF的核心特点包括:
这些规格使IRF1407STRLPBF在需要高电流和低电阻的电力电子应用中表现出色,例如在逆变器、DC-DC转换器和电机驱动器中。
IRF1407STRLPBF远不止于普通的MOSFET,它在以下几个应用场景中尤为突出:
电源管理: 由于其持续的高电流能力和低导通电阻,这款MOSFET非常适合在开关电源(SMPS)及其他电源转换系统中使用。它可以提高电源的效率,减少功耗和热量产生。
电动机驱动: 该器件可轻松处理电动机启动和运行中的高电流,通常用于无刷直流电动机控制和伺服驱动系统中。
逆变器和转换器: 在设计光伏逆变器和UPS(不间断电源)时,IRF1407STRLPBF能够为系统提供所需的高功率密度和可靠性。
IRF1407STRLPBF的卓越性能主要体现在以下几个方面:
高效率: 低温度下具备极低的导通电阻,意味着更少的能量损耗和发热。即使在高负载条件下,该MOSFET也能保持良好的散热性能,从而提高整体电路的效率。
宽工作温度范围: 从-55°C到175°C的广泛温度范围使得该MOSFET能够在严苛环境下可靠工作。这对于户外设备或汽车应用尤为重要。
高可靠性: Infineon产品以其质量和可靠性闻名,IRF1407STRLPBF通过严格的测试和认证,满足了多种工业标准,确保在多变和挑战性环境下的持久性。
IRF1407STRLPBF采用D2PAK封装(TO-263-3),是一种表面贴装型设计,方便在自动化生产中批量装配,同时优化了热管理特性。这种封装形式与多个PCB设计兼容,有助于减少整体解决方案的尺寸。
综上所述,IRF1407STRLPBF MOSFET凭借出色的电气特性和高功率处理能力,成为了现代电源管理和功率转换应用中的理想选择。其稳定性和高可靠性进一步扩大了应用的广泛性,使其在电动汽车、工业设备以及家用电器等领域均可找到合适的应用。选择IRF1407STRLPBF,将为您的电子设计带来更高的效率与可靠性,适应未来更为复杂的的技术需求。