QH8MA3TCR

QH8MA3TCR 产品概述

1. 产品简介

QH8MA3TCR 是一款先进的双沟道场效应管 (MOSFET)，由知名电子元器件厂商 ROHM（罗姆）制造。其设计集成了 N 沟道和 P 沟道两种结构，能够为多种电子应用提供高效的开关和放大功能。这款MOSFET具有30V的漏源电压（Vdss）和最大连续漏极电流为7A（N沟道）和5.5A（P沟道），同时具备优异的导通电阻表现，适合于要求高效、低能耗的电路设计。

2. 关键特性

• FET 类型: 同时包含 N 沟道和 P 沟道场效应管。
• Vdss（漏源电压）: 最大30V，适合一般工业和消费类电子设备。
• Id（连续漏极电流）: N 沟道可达7A，P 沟道可达5.5A，确保提供充足的驱动能力。
• 导通电阻: 29毫欧 @ 7A，10V，低导通电阻保证了更低的功耗和热量生成，提高了设备的整体效率。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为2.5V @ 1mA，适于低电压驱动应用。
• 栅极电荷（Qg）: 最大值为7.2nC @ 10V，较小的栅极电荷使响应特性更快，有助于高频开关应用。
• 输入电容 (Ciss): 最大值300pF @ 15V，能有效减少开关损耗。
• 功率处理能力: 最大功率为1.5W，适合各种中小功率的电力管理场合。
• 工作温度范围: 高达150°C（TJ），能够在严苛环境下稳定工作。

3. 封装与安装

QH8MA3TCR 采用的是紧凑的TSMT8封装形式，适合表面贴装 (SMD) 安装。此结构有效减少了电路占用空间，使其在设计时更具灵活性和可扩展性。TSMT8 封装的设计满足现代电子设备对集成度和散热性能的双重需求。

4. 应用领域

由于其出色的性能特征，QH8MA3TCR MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：

• 开关电源：作为开关元件在高效能电源转换电路中，非常适合低功耗设计。
• 电动车辆：在电动车充电装置中，可用于高效控制电流和电压。
• 机器人技术：能够承受较高的电流和热量，使其非常适合用于马达驱动和控制。
• 工业控制系统：字段如传感器接口、执行器驱动等场合，提供高可靠性的功率管理。
• 消费电子产品：如智能手机、平板电脑中的电源管理和信号调理电路。

5. 总结

QH8MA3TCR是一个兼具高效能和高可靠性的MOSFET解决方案，具有广泛的应用潜力和良好的市场适应性。ROHM在电子元器件领域的深厚技术积累和对产品质量的严格把控，使得QH8MA3TCR在未来各类电子产品中的表现值得期待。在设计和选型过程中，如果您的应用需要高效的电源管理方案，并寻求在尺寸、散热及电气性能上的优化，QH8MA3TCR是一个强有力的选择。