类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 80V |
连续漏极电流(Id) | 120A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.8mΩ@10V,11.5A |
功率(Pd) | 140W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.6nF@40V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 64pF@40V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STL120N8F7是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),属于STripFET™ F7系列。凭借其出色的电气特性,该产品适用于高效能开关电源、电机驱动和其他需要高电流和高效能的应用。
高电流承载能力
STL120N8F7能够在25°C的环境下提供高达120A的连续漏极电流(Id),能够满足高电流应用的需求。其耐用性和可靠性使其成为多种工业和消费电子产品的理想选择。
低导通电阻
该场效应管在10V栅极驱动电压下,最大导通电阻(Rds On)为4.4毫欧(@11.5A),极低的导通电阻有效降低了功率损耗,提升了系统效率。同时,这种低内阻特性可以减少电源管理系统中的热量产生,从而延长器件及系统的使用寿命。
广泛的工作温度范围
STL120N8F7的工作温度范围广泛,从-55°C到175°C(TJ),使得其在各种环境条件下都能保持稳定的性能。无论是在极端寒冷或极端高温的应用中,该产品都能确保可靠性。
优良的驱动特性
该器件的栅极电荷(Qg)为60nC(@10V),这意味着在开关操作时所需的驱动电流较小,有利于提高开关频率和整体系统效率。
兼容的电压等级
STL120N8F7具有80V的漏源电压(Vdss),能够支持多种电源应用,包括48V电源系统和高压电机驱动。
先进的封装设计
该MOSFET采用PowerFlat™(5x6)封装,拥有较小的占板面积,适合于高密度表面贴装应用。这种封装设计还具有良好的散热性能,有助于提升器件的工作可靠性。
STL120N8F7因其卓越的电气特性而广泛应用于以下几个领域:
开关电源
适用于各种开关电源(SMPS)设计,例如AC-DC电源转换器和DC-DC变换器,能够提高电源效率。
电机驱动
在电机驱动应用中,STL120N8F7能够处理中等到高电流负载,特别是在驱动直流电机和步进电机时,表现优异。
汽车电子
由于其高温工作能力和高电流承载能力,适合用于电动车辆(EV)和混合动力车辆(HEV)中的电源管理和电机控制系统。
工业自动化
STL120N8F7可用于工业驱动和自动化设备中的功率调节和控制,确保系统的稳定性和高效性。
消费电子
在移动设备和个人电脑电源管理中,STL120N8F7能够提供高效的电流控制,提升设备的电池寿命。
STL120N8F7是一款性能卓越的N通道MOSFET,结合低导通电阻、高电流能力和广泛的工作温度范围,完美满足了现代电子设计对高效率和高可靠性的需求。无论是在开关电源、电机驱动还是汽车电子等领域,该器件都展现出强大的应用潜力,是工程师和设计师优选的元件之一。通过合理的设计与系统集成,STL120N8F7将极大地提升产品性能和市场竞争力。