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STN3N40K3 产品实物图片
STN3N40K3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STN3N40K3

商品编码: BM0084330183
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
SOT-223
包装 : 
编带
重量 : 
0.22g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.3W 400V 1.8A 1个N沟道 SOT-223
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
7.42
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥7.42
--
100+
¥6.19
--
1000+
¥5.73
--
2000+
¥5.46
--
产品参数
产品手册
产品概述

STN3N40K3参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)400V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.4 欧姆 @ 600mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 50µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)11nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)165pF @ 50V
功率耗散(最大值)3.3W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-223
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA

STN3N40K3手册

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STN3N40K3概述

STN3N40K3 产品概述

基本信息

STN3N40K3 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),专为需要高电压和良好导电性能的应用场景设计。该元件具有高达 400V 的漏源电压(Vdss),并可以承载连续 1.8A 的漏极电流(Id @ 25°C),适用于各种电源管理、开关电源及高端电子设备等领域。

关键特性

  • 漏源电压(Vdss): STN3N40K3 获得了 400V 的额定漏源电压,使其能够处理高电压应用,如工业自动化、电源适配器和LED 驱动器。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 的环境下,该元件可以支持高达 1.8A 的连续漏极电流,这意味着它在高温条件下的性能有很好的保障。
  • 驱动电压: 10V 的驱动电压使得该元件在开启和关断过程中均表现出色,能够有效降低开关损耗和提高效率。

导通电阻

STN3N40K3 的导通电阻(Rds On)在 10V 驱动下,最大值为 3.4Ω(@ 600mA),这个值相对较低,有助于在开关状态下提高能效。这一特性使其在高频应用中表现出良好的散热性能和热管理,极大地提升了元件的可靠性。

栅极电荷与栅极电压

STN3N40K3 的栅极电荷(Qg)在 10V 时最大值为 11nC,这对于驱动电路设计至关重要。较低的栅极电荷可以减小电路的驱动功耗,提升整体系统性能。同时,Vgs 最大值为 ±30V,保证了器件在控制电压波动时的可靠性。

温度与功率

该器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,允许其在苛刻环境下使用。其额定功率耗散为 3.3W(Ta),可适应于大多数现代电子产品的散热需求,这在长时间工作情况下尤其重要。

电容特性

STN3N40K3 的输入电容(Ciss)在 50V 下最大值为 165pF,提供较高的输入阻抗以及更小的开关时间,从而提升了高频性能。这使得它能够适应快速开关和高频工作的需求,适合应用于开关电源、DC-DC 转换器及其他高频电路。

封装与安装

STN3N40K3 的封装采用了 SOT-223 型表面贴装设计,体积小,适合自动化生产线埋置。该封装形式还使其在空间有限的应用中表现尤为优越,极大地方便了电路板设计和集成,同时也优化了散热表现。

应用领域

STN3N40K3 可广泛应用于多个领域,包括:

  1. 开关电源: 高频开关应用中,稳定的高压性能和低导通电阻使其成为理想选择。
  2. 工业控制: 在需要高压和高效率的工业控制应用中,STN3N40K3 的性能可以得到充分的发挥。
  3. LED 驱动: 在 LED 照明领域,相对较高的电压和高效开关性能使得该元件成为可靠的选择。
  4. 电机驱动: 适用于电机控制电路中,提高效率和降低热量发生成本。

总结

STN3N40K3 是一款设计精良的 N 通道 MOSFET,凭借其高漏源电压能力和较小的导通电阻,成为工业和消费类电子产品中不可或缺的元器件。无论是在开关电源、LED 驱动还是电机控制等各类应用中,STN3N40K3 均能提供卓越的性能和可靠性,为电路设计提供更多可能性。