FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 400V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.4 欧姆 @ 600mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 165pF @ 50V |
功率耗散(最大值) | 3.3W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
STN3N40K3 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),专为需要高电压和良好导电性能的应用场景设计。该元件具有高达 400V 的漏源电压(Vdss),并可以承载连续 1.8A 的漏极电流(Id @ 25°C),适用于各种电源管理、开关电源及高端电子设备等领域。
STN3N40K3 的导通电阻(Rds On)在 10V 驱动下,最大值为 3.4Ω(@ 600mA),这个值相对较低,有助于在开关状态下提高能效。这一特性使其在高频应用中表现出良好的散热性能和热管理,极大地提升了元件的可靠性。
STN3N40K3 的栅极电荷(Qg)在 10V 时最大值为 11nC,这对于驱动电路设计至关重要。较低的栅极电荷可以减小电路的驱动功耗,提升整体系统性能。同时,Vgs 最大值为 ±30V,保证了器件在控制电压波动时的可靠性。
该器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,允许其在苛刻环境下使用。其额定功率耗散为 3.3W(Ta),可适应于大多数现代电子产品的散热需求,这在长时间工作情况下尤其重要。
STN3N40K3 的输入电容(Ciss)在 50V 下最大值为 165pF,提供较高的输入阻抗以及更小的开关时间,从而提升了高频性能。这使得它能够适应快速开关和高频工作的需求,适合应用于开关电源、DC-DC 转换器及其他高频电路。
STN3N40K3 的封装采用了 SOT-223 型表面贴装设计,体积小,适合自动化生产线埋置。该封装形式还使其在空间有限的应用中表现尤为优越,极大地方便了电路板设计和集成,同时也优化了散热表现。
STN3N40K3 可广泛应用于多个领域,包括:
STN3N40K3 是一款设计精良的 N 通道 MOSFET,凭借其高漏源电压能力和较小的导通电阻,成为工业和消费类电子产品中不可或缺的元器件。无论是在开关电源、LED 驱动还是电机控制等各类应用中,STN3N40K3 均能提供卓越的性能和可靠性,为电路设计提供更多可能性。