二极管类型 | 碳化硅肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 1200V |
电流 - 平均整流 (Io) | 20A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.5V @ 20A |
速度 | 无恢复时间 > 500mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 0ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 120µA @ 1200V | 不同 Vr、F 时电容 | 1650pF @ 0V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK | 工作温度 - 结 | -40°C ~ 175°C |
STPSC20H12G-TR 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能碳化硅(SiC)肖特基二极管,专为高电压和高效率应用设计。该器件采用 D2PAK 封装,具有良好的散热性能以及方便的表面贴装安装特性。凭借其卓越的电气参数,该产品广泛应用于电源转换、逆变器及其他需要高可靠性和高效能的电路。
电气参数:
速度与恢复特性:
频率特性:
STPSC20H12G-TR 的特性使其非常适合如下应用:
STPSC20H12G-TR采用 D2PAK 封装,这种封装形式具有较好的散热性能,能够承受一定的机械应力,同时也支持表面贴装技术,使得在自动化生产过程中更为高效和可靠。其结温范围为-40°C 至 175°C,使得该部件能够在极端条件下继续稳定工作,提供更高的系统可靠性。
STPSC20H12G-TR 二极管凭借其高达1200 V的反向电压、高达20 A的平均整流电流、超低漏电流和无恢复时间的特性,成为高效电源应用和电动交通工具的理想选择。其卓越的性能与强大的散热能力,结合 STMicroelectronics 的优秀制造工艺,STPSC20H12G-TR 确保了在多样化应用场合中可靠性与耐用性的完美平衡。通过选择 STPSC20H12G-TR,设计者可以实现高效、稳定的电力管理解决方案,满足现代电子设备对高性能元器件的迫切需求。