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STPSC20H12G-TR 产品实物图片
STPSC20H12G-TR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STPSC20H12G-TR

商品编码: BM0084330187
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
碳化硅二极管 STPSC20H12G-TR D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
65.39
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥65.39
--
100+
¥58.39
--
产品参数
产品手册
产品概述

STPSC20H12G-TR参数

二极管类型碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1200V
电流 - 平均整流 (Io)20A不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.5V @ 20A
速度无恢复时间 > 500mA(Io)反向恢复时间 (trr)0ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏120µA @ 1200V不同 Vr、F 时电容1650pF @ 0V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK工作温度 - 结-40°C ~ 175°C

STPSC20H12G-TR手册

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STPSC20H12G-TR概述

STPSC20H12G-TR 产品概述

概述

STPSC20H12G-TR 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能碳化硅(SiC)肖特基二极管,专为高电压和高效率应用设计。该器件采用 D2PAK 封装,具有良好的散热性能以及方便的表面贴装安装特性。凭借其卓越的电气参数,该产品广泛应用于电源转换、逆变器及其他需要高可靠性和高效能的电路。

主要特性

  1. 电气参数

    • 最大反向电压(Vr):1200 V。该参数使得 STPSC20H12G-TR 在高压领域表现出色,适用于工业电源和可再生能源系统。
    • 平均整流电流(Io):20 A,确保在高负载的工作条件下也能稳定性能。
    • 正向电压(Vf):在20 A时为1.5 V,相较于传统硅二极管,减少了前向压降,提升了系统的整体效率。
    • 反向泄漏电流:在1200 V时仅为120 µA,降低了二极管的功耗,提高了热稳定性。
  2. 速度与恢复特性

    • 无恢复时间:该二极管在500 mA(Io)时具备无恢复特性,适合高频应用,减少了开关损耗。
    • 反向恢复时间(trr):为0ns,确保在快速开关的情况下,极大地减少了向电源反馈的干扰。
  3. 频率特性

    • 电容:在0 V、1 MHz下,电容为1650 pF,这表明其在高频应用中的良好性能,可以降低在高频操作时产生的损耗。

应用场合

STPSC20H12G-TR 的特性使其非常适合如下应用:

  • 开关电源:在电力转换过程中的高效率必然要求可靠的二极管组件来处理高电压和电流。
  • 光伏逆变器:在太阳能电池转换和逆变过程中需要高效的二极管以最大化能量转化效率。
  • 电动汽车充电桩:随着电动汽车的普及,对充电设施高效能和高可靠性的需求日益增加,STPSC20H12G-TR 是理想选择。
  • 电机驱动:在电机控制中,稳压和快速开关是至关重要的,适应这些需求的二极管必不可少。

封装与散热

STPSC20H12G-TR采用 D2PAK 封装,这种封装形式具有较好的散热性能,能够承受一定的机械应力,同时也支持表面贴装技术,使得在自动化生产过程中更为高效和可靠。其结温范围为-40°C 至 175°C,使得该部件能够在极端条件下继续稳定工作,提供更高的系统可靠性。

结论

STPSC20H12G-TR 二极管凭借其高达1200 V的反向电压、高达20 A的平均整流电流、超低漏电流和无恢复时间的特性,成为高效电源应用和电动交通工具的理想选择。其卓越的性能与强大的散热能力,结合 STMicroelectronics 的优秀制造工艺,STPSC20H12G-TR 确保了在多样化应用场合中可靠性与耐用性的完美平衡。通过选择 STPSC20H12G-TR,设计者可以实现高效、稳定的电力管理解决方案,满足现代电子设备对高性能元器件的迫切需求。