STW45N60DM2AG

STW45N60DM2AG 产品概述

STW45N60DM2AG 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能 N 通道 MOSFET，专为高压和高电流应用而设计。该器件以其优异的电气特性和热管理性能，成为现代功率电子设计中的重要选择。

主要特性

1. 电压和电流规格：

   • 漏源电压（Vdss）：此器件具有高达 600V 的漏源电压，使其能够承受严苛的操作条件，适用于高压电源转换器、逆变器和其他需要高耐压MOSFET 的应用。
   • 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，STW45N60DM2AG 支持高达 34A 的连续漏极电流，能够轻松应对大负载条件。

2. 导通电阻及栅极驱动：

   • 导通电阻（Rds On）：在 Vgs = 10V、Id = 17A 的条件下，最大导通电阻为 93 毫欧，确保在导通状态下的损耗极小，有助于提升整体能效。
   • 栅极驱动电压：该器件的驱动电压范围支持最高 ±25V 的栅极源电压，适应各种驱动电路的需求。

3. 开关特性：

   • 阈值电压（Vgs(th)）：在 250µA 的漏电流下，Vgs(th) 的最大值为 5V，这对于提供可靠的开关特性至关重要。
   • 栅电荷（Qg）：在 10V 的驱动电压下，栅电荷最大为 56nC，意味着较低的开关损耗，有利于提高开关频率和整个系统效率。

4. 输入和输出特性：

   • 输入电容（Ciss）：在 100V 的偏置电压下，输入电容的最大值为 2500pF，这一特性在高频应用中尤为重要，有助于提高开关速度。
   • 功率耗散（Pd）：STW45N60DM2AG 的最大功率耗散为 250W，确保在高负载情况下能够安全工作而不引发过热问题。

5. 温度和封装：

   • 工作温度范围：该器件特有 -55°C 到 150°C 的工作温度范围，使其适用于恶劣的环境条件。
   • 封装：STW45N60DM2AG 采用 TO-247-3 封装，具有良好的散热性能，适合高功率应用的安装需求。

应用场景

STW45N60DM2AG 适用于多种广泛的应用领域，涵盖：

• 开关电源（SMPS）
• 逆变器（例如太阳能逆变器）
• 电机驱动
• 充电器和电池管理系统
• 动态负载开关

总结

STW45N60DM2AG 是一款高性能、高可靠性和多用途的 N 通道 MOSFET，具有600V 的高耐压和 34A 的漏电流。其卓越的导通电阻、低开关损耗和宽广的工作温度范围，使其成为电子设计师在功率电子领域应用中的优选元件。无论是在高效率电源转换设计还是在复杂的电机驱动控制系统中，STW45N60DM2AG 都能够提供卓越的性能支持。