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STW70N60M2 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STW70N60M2

商品编码: BM0084330201
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-247
包装 : 
管装
重量 : 
6.7g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 450W 600V 68A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
16.52
按整 :
管(1管有600个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥16.52
--
10+
¥14.24
--
产品参数
产品手册
产品概述

STW70N60M2参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)68A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)40 毫欧 @ 34A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)118nC @ 10V
Vgs(最大值)±25V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5200pF @ 100V
功率耗散(最大值)450W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-247
封装/外壳TO-247-3

STW70N60M2手册

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STW70N60M2概述

STW70N60M2 产品概述

简介

STW70N60M2 是一款高性能 N 通道 MOSFET,专为高压和大电流应用而设计。作为意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款重要元器件,STW70N60M2 以其600V的漏源电压和68A的连续漏极电流,在工业、汽车电子、电源转换和其他要求高效能和高可靠性的应用中表现卓越。

关键参数

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 600V
  • 连续漏极电流(Id): 68A(在25°C时,Tc)
  • 导通电阻(Rds On): 最大值 40毫欧 @ 34A,10V
  • 温度特性: 工作温度范围从 -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 功率耗散: 450W(Tc)
  • 封装类型: TO-247-3

应用领域

STW70N60M2 是针对要求高压、大电流的应用场景而优化设计的,适用于多个工业领域的关键应用,包括:

  1. 开关电源(SMPS): 在逆变器和直流-直流转换器的电子开关中,STW70N60M2 以其优秀的导通性能和低导通电阻,极大提高了能量转换效率,降低了发热量,提高了系统的稳定性。
  2. 电机驱动: 在电机控制器中,MOSFET 的高切换速度和低导通电阻使其在驱动电机时具有出色的性能,增强了电机的控制精度和响应速度。
  3. 不间断电源(UPS): 在不间断电源系统中,STW70N60M2 提供可靠的高电压处理能力,确保设备在电源中断时继续供电,维护重要负载的稳定运行。
  4. 汽车电子: 该MOSFET 也适合交通工具相关的应用,适用于电动汽车的电源管理系统,帮助实现高效能和高电流控制。

性能特点

  1. 高效率: STW70N60M2 的导通电阻和栅极电荷表现优秀,使其在高频开关应用中保证了较低的上升和下降时间,降低了能量损耗。
  2. 高温稳定性: 此器件的工作温度范围广泛 (-55°C 至 150°C),适合在各种恶劣环境中使用,确保设备的可靠性和耐用性。
  3. 易于驱动: 平衡的栅极电荷 (Qg) 特性,使得该 MOSFET 适合与传统驱动电路配合使用,简化了系统设计。
  4. 增强保护特性: 具有优异的耐压性能和热管理能力,使其在过载和短路情况下提供额外保护。

封装与安装

STW70N60M2 的 TO-247 封装方式使其在散热和电气性能之间达到良好平衡,适合大功率设备的通孔安装。这种封装设计不仅确保了器件的机械强度,还优化了热传导效率,方便散热,以延长设备使用寿命。

结论

STW70N60M2 是一款出色的高电压 N 通道 MOSFET,具备广泛的应用潜力和优异的技术性能。凭借其高效的导电能力和卓越的热管理特性,STW70N60M2 在电源转换及电气控制系统中为工程师提供了理想的解决方案,帮助提升产品的整体性能和效益。无论是在工业应用还是汽车电子设备中,STW70N60M2 都是提高系统效率和可靠性的理想选择。