FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 68A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 34A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 118nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5200pF @ 100V |
功率耗散(最大值) | 450W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
STW70N60M2 是一款高性能 N 通道 MOSFET,专为高压和大电流应用而设计。作为意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款重要元器件,STW70N60M2 以其600V的漏源电压和68A的连续漏极电流,在工业、汽车电子、电源转换和其他要求高效能和高可靠性的应用中表现卓越。
STW70N60M2 是针对要求高压、大电流的应用场景而优化设计的,适用于多个工业领域的关键应用,包括:
STW70N60M2 的 TO-247 封装方式使其在散热和电气性能之间达到良好平衡,适合大功率设备的通孔安装。这种封装设计不仅确保了器件的机械强度,还优化了热传导效率,方便散热,以延长设备使用寿命。
STW70N60M2 是一款出色的高电压 N 通道 MOSFET,具备广泛的应用潜力和优异的技术性能。凭借其高效的导电能力和卓越的热管理特性,STW70N60M2 在电源转换及电气控制系统中为工程师提供了理想的解决方案,帮助提升产品的整体性能和效益。无论是在工业应用还是汽车电子设备中,STW70N60M2 都是提高系统效率和可靠性的理想选择。