STL150N3LLH5

产品概述：STL150N3LLH5 N通道MOSFET

1. 产品基本信息

STL150N3LLH5是一款高性能的N通道MOSFET，具有额定漏源电压30V，并能承受高达195A的连续漏极电流。该产品采用ST（意法半导体）的创新技术，采用PowerFlat™（5x6）封装，适合表面贴装，极大地提高了电路板的空间利用率和散热性能。

2. 主要参数

• FET类型：N通道MOSFET
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流 - 连续漏极 (Id)：195A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
• 导通电阻（Rds(on)）最大值：1.75mΩ @ 17.5A，10V
• 栅极阈值电压 (Vgs(th))最大值：2.2V @ 250µA
• 栅极电荷 (Qg)最大值：40nC @ 4.5V
• 栅源电压（Vgs最大值）：±22V
• 输入电容（Ciss）最大值：5800pF @ 25V
• 功率耗散（Pd）最大值：114W（Tc）
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C

3. 技术特点

STL150N3LLH5的设计充分考虑了高效能和高可靠性，其优异的导通电阻（Rds(on)）使其在高负载条件下能够有效地降低能量损耗，从而提高系统的整体效率。同时，该MOSFET的高连续漏极电流承载能力使其适用于各种高功率应用。

4. 应用场合

由于其卓越的功率承载能力和低导通电阻，STL150N3LLH5广泛应用于以下领域：

• 电源管理：尤其是在开关电源和DC-DC转换器中，利用其低损耗特性提高电源效率。
• 马达驱动：在电动汽车、电动工具和家用电器中，作为驱动电机的功率开关。
• 电池管理系统：用于电池充放电过程中，通过其高电流承载能力提升充电效率，延长电池寿命。
• 照明控制：特别是在LED驱动电路中，提高整体效率并降低发热量。

5. 封装与散热

STL150N3LLH5采用PowerFlat™（5x6）封装，优化的布局设计使得这种元器件的散热性能大大增强，有助于在狭小的空间内实现高功率的散热解决方案。此外，相较于传统封装形式，PowerFlat™封装的低高度结构使得该器件在面积上具备优势，方便在高密度PCB上布局。

6. 性能优势

STL150N3LLH5显著的优势体现在其低导通电阻、宽广的工作温度范围及强大的电流处理能力。其较高的功率耗散能力（114W），以及在极端环境下的可靠性（-55°C ~ 150°C），证明其在不同工业应用中的适用性。即便在极端条件下，该FET依旧具有出色的性能表现，能最大程度保障系统的稳定运行。

7. 结论

STL150N3LLH5作为一款顶尖的N通道MOSFET，结合了高功率支持能力、低导通电阻和优越的散热性能，是电源管理、马达驱动及各类高效能应用的理想选择。无论是在设计还是在施工中，STL150N3LLH5均能为电子工程师提供高效、可靠的技术支持，助力其产品在市场中的竞争力。