IGBT类型 | FS(场截止) | 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
集电极电流(Ic) | 80A | 功率(Pd) | 555W |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V,40A | 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 104nC |
开启延迟时间(Td(on)) | 49ns | 关断延迟时间(Td(off)) | 199ns |
导通损耗(Eon) | 3mJ | 关断损耗(Eoff) | 3.1mJ |
反向恢复时间(Trr) | 198ns | 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
RGS80TSX2DHRC11是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),属于沟槽型场截止设计,特意为高压、大电流应用而设计,其典型应用场景包括电机驱动、电力变换和逆变器等高功率电子设备。此款IGBT的额定集电极电流高达80A,能够承受高达1200V的集射极击穿电压,非常适合复杂的电气系统以及对电源装置有高可靠性要求的应用。
RGS80TSX2DHRC11的优秀性能使其在多个领域拥有广泛的应用:
RGS80TSX2DHRC11采用TO-247-3封装形式,具备良好的热管理性能和电气连接稳定性,适合通孔安装,能够适应较为严苛的工作环境。封装设计还优化了散热性能,确保器件在高功率和高频率的运行下能够保持稳定较低的工作温度,工作温度范围为-40°C至175°C。
综上所述,RGS80TSX2DHRC11是一款高效、稳定且应用广泛的IGBT器件,具有优秀的电流承载能力和高开关频率,适合对功率和电能转换效率有高需求的工业领域。其出色的性能和可靠性,使其成为电动机驱动、变换器设计者的理想选择,为各类高功率电子设备提供了强有力的支持。随着电力电子技术的不断进步和广泛应用,RGS80TSX2DHRC11将在未来的电气化和自动化进程中发挥越来越重要的作用。