类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 16.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 59mΩ@5V,5A |
功率(Pd) | 37W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.1nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 715pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 56pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
BUK9Y59-60E,115 产品概述
BUK9Y59-60E,115 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N 通道 MOSFET,专为汽车应用设计,符合 AEC-Q101 标准。这款场效应管集结合了高可靠性和卓越的电气性能,满足现代电子设备在功率管理和控制方面的严格要求。
BUK9Y59-60E,115 的主要参数包括:
BUK9Y59-60E,115 采用 LFPAK56 封装设计,符合 SC-100 和 SOT-669 尺寸标准,具备良好的散热性能,适合表面贴装(SMD)技术,使其在自动化生产和电路集成中更加便捷。
BUK9Y59-60E,115,凭借其高电流承载能力和低导通损耗,广泛应用于汽车电子系统、直流-直流转换器、电机驱动、功率管理模块和其他需要高效开关的大功率应用场合。在现代汽车电气系统中,能有效提升能效和延长系统寿命。
BUK9Y59-60E,115 是一款设计精良的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围及符合严格汽车标准的可靠性,成为工程师在高性能电源管理应用中的理想选择。无论是在高负载条件下,还是复杂电路设计中,BUK9Y59-60E,115 都能提供可靠的解决方案,为推动电气工程与技术革新贡献力量。