PMN48XP,125

产品概述：PMN48XP,125

简介

PMN48XP,125是一款由Nexperia USA Inc.制造的高性能P沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），专门设计用于低电压、高效率的电子电路。凭借其优异的电气特性和宽广的工作温度范围，该元件广泛应用于电源管理、开关电路以及各种消费类电子产品中。

关键特性

1. FET 类型: P 通道
2. 最大漏源电压（Vdss）: 20V
3. 连续漏极电流（Id）: 4.1A（工作环境温度25°C）
4. 导通电阻（Rds(on)）: 在4.5V的栅极驱动下，最大导通电阻为55毫欧（在4.4A电流时测量）
5. 门极阈值电压（Vgs(th)）: 1.25V @ 250µA
6. 栅极驱动电压: 在2.5V及4.5V下提供最优性能
7. 功率耗散能力: 530mW（在25°C的环境温度下），6.25W（在接触温度情况下）
8. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，保证在极端环境中的可靠性
9. 封装类型: SOT-457 (SC-74)，适合表面贴装（SMD）技术
10. 电气特性: 栅极电荷(Qg)低至13nC @ 4.5V；输入电容(Ciss)最大值为1000pF @ 10V

应用领域

PMN48XP,125因其优异的电气特性尤其适用于下列应用：

• 电源管理电路：如DC-DC转换器、线性稳压器等。
• 开关电路：用于高效的负载开关控制。
• 消费电子产品：适用于LED驱动、高频开关电源和便携设备等。
• 汽车电子：在车载电源和低压驱动应用中表现出色。
• 电池管理系统：在电池充电和放电过程中提供精确的控制。

性能优势

• 低导通电阻: 该MOSFET的低Rds(on)特性帮助降低导通损耗，提高系统效率。
• 宽工作温度范围: 可在极端温度条件下正常工作，提高了设备的可靠性和耐用性。
• 低栅极电荷: 该特性允许更快的开关速度，适合高频应用，减少开关损耗。
• 小型封装: SOT-457封装提供紧凑设计，节省PCB空间，适合现代小型化设备。

结论

PMN48XP,125是一款高效、可靠的P沟道MOSFET，适合各种工业和消费类应用。其优化的电气特性、宽广的工作温度范围和适合表面贴装的封装类型，使其成为设计工程师的优选元件。无论是用于电源管理、开关控制还是在各种严苛环境下的应用，PMN48XP,125都能够满足性能需求，为现代电子产品的设计提供强有力的支持。借助Nexperia提供的先进制造工艺和可持续性，PMN48XP,125不仅能提升产品性能，还能助力降低整体成本。