晶体管类型 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 300mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@1mA,5V | 输入电阻 | 4.7kΩ |
产品概述
PEMD6,115 是由 Nexperia USA Inc. 设计和制造的一款数字预偏置型双晶体管,封装采用了小型而灵活的 SOT-666 表面贴装封装形式。该器件集成了一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,主要用于低功耗数字电路中的开关和放大应用。其极低的功耗和高效的性能使其成为现代电子设备中理想的选择。
主要特性
类型和结构:PEMD6,115 是一个包含 NPN 和 PNP 晶体管的双晶体管,具备预偏置功能,能够在多种工作条件下保持良好的性能。该设计减少了外部元件的需求,简化了电路布局。
电流和电压规格:本产品的最大集电极电流 (Ic) 达到了 100mA,适合于各种中等功率的应用。此外,其集射极击穿电压 (Vce) 的最大值为 50V,确保其在较高电压下的安全运行。
增益特点:在不同的 Ic 和 Vce 条件下,PEMD6,115 的直流电流增益 (hFE) 最小为 200,尤其是在 1mA 的偏置电流和 5V 的供电电压时。这一增益特性确保了其可以有效放大微弱信号。
低饱和压降:在 250µA 和 5mA 的条件下,饱和压降 (Vce) 最大值为 100mV,这使得该晶体管在开关操作中表现出优良的效率,减少了功率损耗。
低集电极截止电流:最大集电极截止电流仅为 1µA,意味着在断开状态下,器件的漏电流非常微小,从而提高了电池供电系统的能效,特别适合便携设备的应用。
功率评级:其功率最大值为 300mW,适合在小型化设计中使用,如手机、平板电脑和其他便携式设备。
封装形式:PEMD6,115 采用的是 SOT-666 封装,具有小型、轻便和低占用空间的特点,适合高度集成的现代电路设计。
应用领域
PEMD6,115 广泛应用于多种电子设备和电路中,主要包括:
总结
PEMD6,115 是隆重推出的一款高性能、低功耗的双晶体管,结合了 NPN 和 PNP 两种类型的功能,适合多种现代电子应用。其卓越的电气性能、紧凑的封装及卓越的可靠性,使其成为设计工程师在产品开发中重要的选择之一。无论是在性能稳定性还是在设计的灵活性方面,PEMD6,115 都展示了 Nexperia 在先进电子元件设计与制造方面的专业水平和竞争力。选择 PEMD6,115,将有助于您优化产品设计,提升市场竞争力。