BSS84AKMB,315

BSS84AKMB/SOT883B/XQFN3 产品概述

简介

BSS84AKMB是一款由Nexperia（安世）推出的P型绝缘栅场效应管（MOSFET），封装形式为DFN1006B-3。这种元器件采用金属氧化物技术，广泛应用于各种开关电路和功率调节场合，尤其适合小型、低功耗的电子设备。凭借其优异的电气特性和紧凑的封装设计，BSS84AKMB在现代电子设计中表现出色。

主要特点

1. 电气特性：

   • 漏源电压（Vdss）：最大为50V，适合多种电源管理应用。
   • 连续漏极电流（Id）：在25°C环境下，最大可达230mA，确保在多种工作条件下的可靠性。
   • 导通电阻（Rds(on)）：在10V时，对应100mA的情况下，Rds(on)最大值为7.5Ω，这种低导通电阻有利于降低功率损耗，从而提高效率。
   • 栅源电压（Vgs）：最大为±20V，兼容性强。

2. 温度范围：

   • 工作温度覆盖-55°C到150°C，表明该器件适用于苛刻的环境条件，适合航空、汽车及工业控制应用。

3. 封装特性：

   • 封装形式DFN1006B-3非常紧凑，只有3mm x 3mm的占地面积，极大节省PCB空间，适合高密度电子产品设计。
   • 其表面贴装（SMD）设计便于自动化组装，提高生产效率。

4. 电容和电荷特性：

   • 最大输入电容（Ciss）为36pF @ 25V，适用于高速开关应用。
   • 栅极电荷（Qg）最大值为0.35nC @ 5V，表明该MOSFET在切换时可实现快速响应，适合高频应用场合。

5. 功率耗散：

   • 最大功率耗散为360mW（在环境温度Ta下），在温控条件Tc下更可达2.7W，适应多种功率要求。

应用场景

BSS84AKMB的性能使其在多种应用中展现出优越性。主要应用如下：

• 电池供电设备：由于其低功耗特性，适合使用于便携式电子设备，如移动电话和手持式终端，延长电池使用寿命。
• 开关电源：MOSFET的低导通电阻有助于提高开关电源的效率，从而在电源管理模块中获得更出色的性能。
• 信号开关和功率放大器：在RF电路和放大器设计中，BSS84AKMB可以用于信号调节及开关功能，满足快速开关需求。
• 传感器接口：在各类传感器领域，可实现对信号的快速切换，提升系统的响应速度。

总结

BSS84AKMB/SOT883B/XQFN3是由Nexperia设计的一款高性能P型MOSFET，凭借其广泛的电气规格、高耐温性及小巧的封装方式，成为了众多现代电子应用的首选元件。无论是用于电源管理、开关电路还是特殊的传感器应用，BSS84AKMB都能提供可靠的性能和高效的能源管理，为设计师在进行产品开发时提供了更多的选择与灵活性。随着电子产品对小型化和高效能的日益追求，BSS84AKMB将继续在未来的电子设计中发挥重要作用。