NX3008PBKS,115 产品实物图片
NX3008PBKS,115 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

NX3008PBKS,115

商品编码: BM0084330362
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-363-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 445mW 30V 200mA 2个P沟道 SOT-363
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.933
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.933
--
200+
¥0.718
--
1500+
¥0.625
--
3000+
¥0.581
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

NX3008PBKS,115参数

类型2个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)200mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.1Ω@4.5V,200mA
功率(Pd)445mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)750pC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)46pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

NX3008PBKS,115手册

NX3008PBKS,115概述

产品概述:NX3008PBKS,115

概述

NX3008PBKS,115是一款高效能的MOSFET器件,属于双P沟道场效应管,特别适合用于逻辑电平驱动的应用。这款器件由知名品牌Nexperia(安世)制造,具备高度集成化和可靠性的特性,广泛应用于电源开关、信号调理和低功耗电路中。

电气特性

  1. 导通电阻(Rds(on):在25°C环境下,该器件在200mA电流和4.5V栅极电压条件下的最大导通电阻为4.1Ω。低导通电阻使得NX3008PBKS,115在开启状态下能够实现较低的功耗,从而提高整体能效。

  2. 漏极电流(Id):器件设计允许最大连续漏极电流为200mA,能够满足大部分典型应用的需求,非常适合电源管理和信号开关。

  3. 漏源电压(Vdss):最大漏源电压为30V,能够承受多种应用场合下的电压要求,确保在不同工作条件下的稳定性和可靠性。

  4. 栅源阈值电压(Vgs(th)):在250µA漏极电流时,最大栅源开启电压为1.1V,特别适合逻辑电平驱动,确保在较低的控制电压下能够实现可靠开关。

  5. 栅极电荷(Qg):在4.5V栅电压条件下,栅极电荷为最大0.75nC,具有快速开启和关闭的特性,适合高频应用,提高开关频率时的响应速度。

  6. 输入电容(Ciss):最大值为46pF(15V),这一特性允许在应用中实现高效的信号处理和低失真。

封装与安装

NX3008PBKS,115采用小型的SOT-363封装,具有出色的散热性能和空间利用效率,适合空间受限的应用,如便携式设备和紧凑型PCB布局。该组件为表面贴装型(SMD)设计,符合现代电子产品的组装需求,能够提高生产效率。

工作环境

该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于各种严苛环境条件。它能够稳定工作在高温和低温环境中,确保在广泛的工业和消费类电子领域中的可靠性。

应用领域

NX3008PBKS,115的设计使得其成为多种应用的理想选择,包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS)
  • 电池管理系统
  • 笔记本电脑、平板电脑和便携式设备的功率开关
  • 信号放大和隔离
  • 低功耗逻辑电路

结论

总的来说,NX3008PBKS,115是一款高性能、稳定性强且适用范围广的P沟道MOSFET,其优异的电气特性和紧凑的封装设计,使其在现代电子设备中具有极高的应用价值。无论是在电源管理还是信号调理领域,该器件均能够有效地提升系统的性能和效率,是电子工程师设计和制造高效电子解决方案的首选。