晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | 功率(Pd) | 1.6W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 10@3A,4V | 特征频率(fT) | 300MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.2V@3A,375mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概念 MJD31CJ 是一款由 Nexperia USA Inc.制造的高性能 NPN 型晶体管,采用表面贴装型封装(DPAK),适用于需要高功率和高电流承载能力的电子电路。其主要应用场景包括开关电源、功率放大器、马达驱动及其他电力电子设备。该晶体管的设计旨在满足现代电子产品对于效率、体积和热管理的要求。
基本参数
电气特性 MJD31CJ的主要电气特性包括其饱和压降,最大值为1.2V(在375mA和3A的条件下)。该参数对于评估晶体管在开关状态下的能量损失非常重要。在选择开关晶体管时,饱和压降直接关系到产品的效率和发热量。
集电极截止电流(最大值1μA)表示在非导通状态下,晶体管漏电流非常低,这使得MJD31CJ在待机模式下具有极好的性能,适合那些对功耗敏感的应用。
应用场景 由于其高集电极电流承载能力和较高的击穿电压,MJD31CJ 在多个领域都找到了实际应用,典型场景包括:
封装与散热 MJD31CJ的DPAK封装设计优化了散热性能,提供了较大的接触面以便于热量扩散。该封装形式有助于在电路板上节省空间,同时保持良好的机械稳定性。鉴于其150°C的最高工作温度,适合在恶劣环境下使用。
经济性与可获取性 Nexperia 作为全球领先的半导体解决方案提供商,其产品质量力求达到最高标准,MJD31CJ 的大规模生产与流通使其在市场上具有较高的可获取性和经济性,非常适合各类电子工程师进行样品测试及批量采购。
总结 综上所述,MJD31CJ 是一款多功能、高性能的 NPN 晶体管,以其卓越的电气特性、优越的开关性能和优秀的散热设计,成为众多电力电子和电机控制应用中不可或缺的关键元件。无论是在产品设计还是工程研发中,选择 MJD31CJ 都将有助于提高产品的整体性能和可靠性。