PMPB10XNEZ

产品概述：PMPB10XNEZ N沟道MOSFET

概述

PMPB10XNEZ是由Nexperia USA Inc.制造的一款高性能N沟道MOSFET，其创新设计和卓越性能使其成为众多电子应用的理想选择。该MOSFET具有优异的导通电阻以及在低栅极驱动电压下的稳定运行特性，旨在满足现代高效电源和动力管理系统的需求。

关键特性

1. 类型与技术：

   • FET类型：N沟道
   • 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）

2. 电气特性：

   • 该MOSFET在25°C下的连续漏极电流（Id）可达9A，适用于需大电流驱动的电路。
   • 在特定驱动电压下（1.8V和4.5V），其导通电阻（Rds(on)）最大可达14毫欧，显著降低了能量损耗，提高了电源效率。
   • 该产品的漏源电压（Vdss）在20V范围内，适合多种低压应用场景。

3. 阈值电压：

   • 在不同Id情况下，该MOSFET的Vgs(th)（阈值电压）最大值为900mV @ 250µA。这使得其在工作中能够快速响应，适应多样的驱动条件。

4. 功率和热管理：

   • 其最大功率耗散能达到1.7W（环境温度条件），而在基板温度条件下，可支持高达12.5W的功率耗散，表明其出色的热管理能力。
   • 工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保在极端环境条件下仍能稳定运行。

5. 电容和驱动特性：

   • 输入电容（Ciss）在10V下的最大值为2175pF，确保快速开关特性。
   • 在不同Vgs下，栅极电荷（Qg）最大值为34nC @ 4.5V，使得该MOSFET适合高频开关和快速脉冲应用。

6. 封装信息：

   • PMPB10XNEZ采用6-UDFN封装（DFN2020MD-6），该表面贴装型器件的紧凑设计便于高密度布局，如便携式电子设备或小型电源模块。

应用场景

PMPB10XNEZ MOSFET广泛应用于以下领域：

• 电源管理：高效电源转换器、DC-DC转换器、线性稳压器等。
• 电动驱动：用于电动机驱动电路或电动工具中，要求快速开关和高电流承载能力。
• 通信设备：用于信号调理和驱动在射频(RF)应用中。
• 电池管理系统：在电池充电或放电过程中提供稳定的电流控制。

结论

PMPB10XNEZ N沟道MOSFET凭借其卓越的电气性能、广泛的工作温度范围和出色的热管理能力，是多种高效电源和动力管理应用的理想选择。无论是在传统的工业设备还是在新兴的消费电子产品中，该MOSFET都能为设计提供灵活性和可靠性，使其成为工程师和设计师广泛青睐的元件。选择PMPB10XNEZ，将助力您的项目实现更高的性能和效率。