晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 2A |
集射极击穿电压(Vceo) | 30V | 功率(Pd) | 480mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 300@1A,2V | 特征频率(fT) | 230MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 240mV@2A,200mA |
PBSS4230T,215 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能 NPN 晶体管,采用 SOT-23(TO-236AB)封装设计,适用于多种低功率电子应用。该晶体管展现出优越的电气特性和热性能,能够承受高达 2A 的集电极电流和 30V 的集射极击穿电压,堪称小型电路设计中的理想选择。
性能参数:
增益特性:
工作频率:
耐热性:
封装特点:
PBSS4230T,215 晶体管广泛应用于以下领域:
该元器件主要面向需提供高功率、低损耗和紧凑设计的应用,例如消费电子产品、工业自动化、汽车电子等领域。由于 Nexperia 在该行业内的知名度和信誉,PBSS4230T,215 也被电子工程师广泛认可和选用。
PBSS4230T,215 NPN 晶体管以其出色的性能指标和可靠性,在多个电子应用中提供了优质的解决方案。它的高集电极电流、高工作频率以及优越的热稳定性使其成为当今电子设计的重要组成部分。无论是在新产品开发还是电子组件更换方面,PBSS4230T,215 都显示出不可或缺的价值。在选择适合的晶体管时,PBSS4230T,215 无疑是一个值得推荐的优选产品。