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MJD45H11J 产品实物图片
MJD45H11J 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MJD45H11J

商品编码: BM0084330460
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 1.75W 80V 8A PNP DPAK
库存 :
80(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.183
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.183
--
100+
¥1.182
--
1250+
¥1.181
--
2500+
¥1.18
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

MJD45H11J参数

制造商Nexperia USA Inc.包装卷带(TR)
零件状态有源晶体管类型PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1V @ 400mA,8A电流 - 集电极截止(最大值)1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)60 @ 2A,1V频率 - 跃迁80MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63供应商器件封装DPAK
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)8A电压 - 集射极击穿(最大值)80V
功率 - 最大值1.75W

MJD45H11J手册

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MJD45H11J概述

MJD45H11J 产品概述

基本信息

MJD45H11J 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 PNP 晶体管,采用 DPAK 封装(TO-252-3)。该产品主要用于低功耗和高效率的电源管理电路,以及其它需要可靠开关作用的应用领域,适合于各种电子设备和工业应用。

主要特点

  • 类型与结构:MJD45H11J 是一款 PNP 型晶体管,具有较高的集电极电流(Ic)能力,最大可以达到 8A,适合用于大电流的开关应用。
  • 电压和功率范围:该晶体管的集射极击穿电压(Vce)最大可达 80V,支持多种高压电源应用。同时,其最大功率输出可达到 1.75W,适合在高功率场景中使用。
  • 电流增益:该产品的直流电流增益(hFE)在不同条件下表现出色,最小值为 60 在 2A 和 1V 的条件下,能够保证在较大负载情况下的稳定性和可靠性。
  • 低饱和压降:在高达 400mA 的条件下,MJD45H11J 的 Vce 饱和压降最大为 1V,这意味着在 switch 状态下损耗较低,有助于提高系统的能效。
  • 频率响应:产品的跃迁频率为 80MHz,这使其能够处理较高频率的信号,适合用于开关频繁的电路环境。

工作环境

MJD45H11J 的工作温度范围广泛,最高可达 150°C 决定了其在严苛环境下的应用能力。无论是在高温还是恶劣环境中,该产品都能够稳定工作,是设计高温环境下电子设备时的理想选择。

应用领域

由于其卓越的性能,MJD45H11J 被广泛应用于各种行业和领域,例如:

  1. 开关电源:用于传统和切换电源设计中,能够可靠地控制功率传输。
  2. 功率放大器:适用于音频放大器等应用中,可以驱动高功率负载。
  3. 电动机驱动:可用于驱动低至中功率电动机,为电机控制提供支援。
  4. 自动化设备:在自动化控制系统中,MJD45H11J 可以作为信号放大器使用。
  5. 家用电器:用于家电类产品中,如冰箱、洗衣机等,进行电流和电压控制。

封装特性

MJD45H11J 采用 DPAK 表面贴装封装,具有良好的散热性能,适合于现代电子电路设计。该封装形式的优势在于能够节省电路板空间,并且提供良好的自动化贴装能力,有助于提高生产效率。

小结

总的来说,MJD45H11J 是一款高效能、可靠性强的 PNP 晶体管,适合于各类需要处理大电流和高电压的汽车、工业和消费类电子应用。其低饱和压降和高电流增益特性,使其在动态性能和静态性能方面表现卓越,成为电子工程师在设计电源及驱动部分时的优选元件。对于追求高可靠性和优异性能的应用,MJD45H11J 将是您理想的选择。