制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1V @ 400mA,8A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 60 @ 2A,1V | 频率 - 跃迁 | 80MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | 供应商器件封装 | DPAK |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 8A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
功率 - 最大值 | 1.75W |
MJD45H11J 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 PNP 晶体管,采用 DPAK 封装(TO-252-3)。该产品主要用于低功耗和高效率的电源管理电路,以及其它需要可靠开关作用的应用领域,适合于各种电子设备和工业应用。
MJD45H11J 的工作温度范围广泛,最高可达 150°C 决定了其在严苛环境下的应用能力。无论是在高温还是恶劣环境中,该产品都能够稳定工作,是设计高温环境下电子设备时的理想选择。
由于其卓越的性能,MJD45H11J 被广泛应用于各种行业和领域,例如:
MJD45H11J 采用 DPAK 表面贴装封装,具有良好的散热性能,适合于现代电子电路设计。该封装形式的优势在于能够节省电路板空间,并且提供良好的自动化贴装能力,有助于提高生产效率。
总的来说,MJD45H11J 是一款高效能、可靠性强的 PNP 晶体管,适合于各类需要处理大电流和高电压的汽车、工业和消费类电子应用。其低饱和压降和高电流增益特性,使其在动态性能和静态性能方面表现卓越,成为电子工程师在设计电源及驱动部分时的优选元件。对于追求高可靠性和优异性能的应用,MJD45H11J 将是您理想的选择。