晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 8A |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 1.75W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 60@2A,1V | 特征频率(fT) | 80MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@8A,400mA |
MJD45H11J 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 PNP 晶体管,采用 DPAK 封装(TO-252-3)。该产品主要用于低功耗和高效率的电源管理电路,以及其它需要可靠开关作用的应用领域,适合于各种电子设备和工业应用。
MJD45H11J 的工作温度范围广泛,最高可达 150°C 决定了其在严苛环境下的应用能力。无论是在高温还是恶劣环境中,该产品都能够稳定工作,是设计高温环境下电子设备时的理想选择。
由于其卓越的性能,MJD45H11J 被广泛应用于各种行业和领域,例如:
MJD45H11J 采用 DPAK 表面贴装封装,具有良好的散热性能,适合于现代电子电路设计。该封装形式的优势在于能够节省电路板空间,并且提供良好的自动化贴装能力,有助于提高生产效率。
总的来说,MJD45H11J 是一款高效能、可靠性强的 PNP 晶体管,适合于各类需要处理大电流和高电压的汽车、工业和消费类电子应用。其低饱和压降和高电流增益特性,使其在动态性能和静态性能方面表现卓越,成为电子工程师在设计电源及驱动部分时的优选元件。对于追求高可靠性和优异性能的应用,MJD45H11J 将是您理想的选择。