晶体管类型 | NPN+PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 350mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@2mA,5V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 5uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称: BC847QAPNZ
品牌: Nexperia(安世)
封装类型: DFN1010B-6
BC847QAPNZ是一款高性能的NPN和PNP型双极性晶体管(BJT),专为广泛的电子应用而设计。其超紧凑的DFN-6封装使其非常适合用于空间有限的现代电子设备,尤其在移动设备、便携式电子产品和消费电子等领域,能够有效提高电路设计的密度和可靠性。
BC847QAPNZ可广泛应用于以下领域:
BC847QAPNZ采用DFN1010B-6封装,具有标准尺寸(1mm x 1mm),适合表面贴装工艺(SMD),使得其能够与现代自动化生产线兼容,从而提高装配效率。同时,裸露焊盘的设计也简化了焊接过程,提高了产品的可靠性。
BC847QAPNZ的高集电极电流能力、低饱和压降、广泛的工作温度范围以及高速特性,使其在市场上具有强大的竞争力。通过优化的设计和出色的制造工艺,保证了其在高温和高电流工作条件下的卓越表现,是电子工程师在选择晶体管时的理想选择。
综上所述,BC847QAPNZ是一款高集成度、高性能的NPN+PNP晶体管,结合了安世的优质制造技术,为现代电子产品提供了优秀的驱动和放大解决方案。无论是在高频信号处理、功率开关控制,还是在严苛的工作环境中,BC847QAPNZ都能满足用户的多种需求,是开创高效、可持续电子设计的一款理想元器件。