
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 集电极电流(Ic) | 1A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 直流电流增益(hFE) | 300 |
| 特征频率(fT) | 150MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
PBSS4140DPN,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能三极管(BJT),其设计旨在满足多种电子应用的需求。无论是在电源管理、信号放大,还是开关驱动等场景中,PBSS4140DPN,115 都能够提供可靠且高效的性能。其特有的 NPN 和 PNP 晶体管类型为用户提供了更大的灵活性,能够轻松适应不同的电路设计要求。
PBSS4140DPN,115 的高集电极电流和电压规格使其十分适合于:
PBSS4140DPN,115 采用 SC-74(SOT-457)小型表面贴装封装,适合于高密度电路板的应用。卷带包装使得在自动化生产中实现高效焊接成为可能,从而提高了生产效率和降低了整体成本。
PBSS4140DPN,115 是一款具有多项优越性能的三极管,凭借其高效能、高集电极电流和电压能力,适应性强、可靠性高,适合多种电子应用。在现代电子设备对性能的高要求下,选择 PBSS4140DPN,115 将有助于提升产品的整体性能和市场竞争力。无论在设计何种类型的电子电路时,PBSS4140DPN,115 都能够成为一个值得信赖的选择。