类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 38mΩ@10V,5.5A |
功率(Pd) | 19W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8nC@15V | 输入电容(Ciss@Vds) | 266pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 42pF@15V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
BUK6D38-30EX 是一款高性能 N 通道 MOSFET,专用于中高功率电子应用。它的设计核心在于实现出色的导电性能和优异的开关特性,使其在各种电子电路中广泛应用,尤其是在电源管理、马达驱动及负载开关等领域。
电气特性:BUK6D38-30EX 的漏源电压最高可达 30V,这为其在较高电压环境下的可靠运行提供了保证。其连续漏极电流在 25°C 环境下可达 5.5A,而在更好的散热条件下(如 Tc = 25°C)可达到 17A,显示出其强大的负载能力。
导通电阻:在 10V 的栅极驱动电压(Vgs)下,BUK6D38-30EX 的最大导通电阻(Rds(on))为 38 毫欧,确保在高电流流过时,能够有效降低功耗与发热。
栅极阈值电压:其最大 Vgs(th) 为 2.5V,意味着该器件具有较低的门槛电压,从而可在低电压控制电路中轻松驱动,提升整体系统的能效。
高频特性:BUK6D38-30EX 的栅极电荷(Qg)为 8nC,这使得其在高频开关应用中表现优良,降低了开关损耗,提高了整体效率。
输入电容:最大输入电容(Ciss)为 266pF,在工作频率较高的电路中,可以提高开关速度,减少延迟。
工作温度范围:BUK6D38-30EX 支持宽广的温度范围,工作温度可在 -55°C 到 175°C 之间,这使得其适用于各种恶劣环境及工业应用。
封装和安装:该元器件采用 DFN2020MD-6 表面贴装封装,并配备裸露焊盘设计,便于进行高效的热管理,使得器件即使在高功率负载下也能保持可靠的工作温度。此外,该封装也支持自动化贴装,并在小型设备中占据更少空间。
功率耗散:BUK6D38-30EX 的最大功率耗散能力为 2W(在环境温度 Ta 条件下),而在良好散热条件下(Tc),最高可达到 19W。这使得它在中低功率电源及负载开关应用中表现出色。
BUK6D38-30EX 的设计使其适合多种应用场景:
BUK6D38-30EX 凭借其卓越的电性能及设计特点,成为了多种电子设备中不可或缺的重要元件。无论是在高功率电源,还是在高频率开关电路中,该产品都展现出卓越的性能与广泛的适应性。通过选择 BUK6D38-30EX,工程师能够设计出更加高效、可靠的电子产品,满足日益增长的市场需求。